功率MOSFET封裝熱阻的分析及改進.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體功率器件和封裝產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率MOSFET發(fā)展趨勢朝向大功率、小尺寸、更快速及散熱更好。而提高散熱性能最重要的途徑是降低產(chǎn)品熱阻。本文主要研究了功率MOSFET封裝散熱材料和結構、封裝熱阻的物理意義以及測量技術，對如何改進封裝熱阻進行了詳細的分析。
　　 在廣泛調(diào)研的基礎上，本文對SO-8 MOSFET器件的封裝熱阻改進的原理、設計、模擬、制備流程、測試進行了較全面的研究，以業(yè)界SO-8先進改進結構為參考，提出來適

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