多芯片組件的擴(kuò)展熱阻與熱耦合效應(yīng)研究.pdf

1、隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，多芯片組件技術(shù)以其體積小、組裝密度高、性能高、可靠性高等特點(diǎn)成為了當(dāng)前電子產(chǎn)品領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn)。與此同時(shí)，產(chǎn)品的功能不斷增加，單位體積的功耗越來(lái)越大，設(shè)備內(nèi)部的熱流密度日益增高，最終導(dǎo)致電子元件溫度過(guò)高，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的可靠性，散熱已經(jīng)成為電子設(shè)備應(yīng)用中必不可少的一項(xiàng)任務(wù)。本文通過(guò)理論、仿真、實(shí)驗(yàn)三者相結(jié)合的分析方法開(kāi)展了以下工作：
　　首先，以單芯片組件的擴(kuò)展熱阻為研究對(duì)象，對(duì)比分析各種相關(guān)計(jì)算理論的

2、特點(diǎn)；針對(duì)簡(jiǎn)單矩形熱源模型，基于理論計(jì)算與FLOEFD仿真分析對(duì)比，驗(yàn)證仿真計(jì)算的正確性；在此基礎(chǔ)上，研究擴(kuò)展熱阻與模型各影響參數(shù)之間的變化規(guī)律，并利用響應(yīng)曲面法得到擴(kuò)展熱阻關(guān)于各因素的響應(yīng)模型，為進(jìn)一步改善電子產(chǎn)品的散熱性能提供方案參考。
　　其次，針對(duì)多芯片組件的熱耦合效應(yīng)，通過(guò)建立熱阻網(wǎng)絡(luò)模型和熱阻矩陣兩種方法分別理論計(jì)算兩芯片組件和四芯片組件的溫度，并與FLOEFD仿真值進(jìn)行對(duì)比，驗(yàn)證仿真計(jì)算的正確性；然后通過(guò)仿真分析研究