CdSe納米晶與P3HT-CdSe納米復(fù)合物的制備與性能研究.pdf

1、CdSe納米材料屬于II~VI族直接帶隙納米半導(dǎo)體材料,具有獨特的物理和化學(xué)特性,在很多領(lǐng)域內(nèi)都有著很大的應(yīng)用前景。由于半導(dǎo)體納米材料的各種性質(zhì)均與其形貌、結(jié)構(gòu)息息相關(guān),因而近年來很多材料領(lǐng)域的科研工作者們紛紛致力于CdSe納米材料的形貌調(diào)控、表面修飾、合成方法等方面的研究,取得了光、電、磁等方面的大量研究成果,并不斷地推進(jìn)著CdSe納米材料及其復(fù)合材料的研究與發(fā)展。本文的研究工作主要可以分為以下兩個方面:
　　1)CdSe納米晶

2、的制備與性能研究。本文制備CdSe納米晶的方法有兩種:無模板水熱反應(yīng)法和聚合物模板法。在無模板水熱反應(yīng)法制備CdSe納米晶過程中,我們以氯化鎘、亞硒酸鈉、氨水等為反應(yīng)原料,通過調(diào)控反應(yīng)時間為2 h、5 h、10 h,可以分別制備得到六方相的樹枝狀、棒狀及由樹枝狀到棒狀過渡的簇狀 CdSe納米晶,探討其形成機理及結(jié)構(gòu)性能可知,最終生成的納米晶的結(jié)構(gòu)形貌主要決定于晶核的晶型、晶面能效應(yīng)和晶體生長環(huán)境。在聚合物模板法中,我們以醋酸鎘、硒粉為反

3、應(yīng)原料,聚乙二醇(PEG)為聚合物模板,乙二醇苯醚為溶劑,采用XRD、UV-Vis、TEM等測試手段來表征產(chǎn)物,實驗結(jié)果顯示所制備得到的CdSe納米晶的結(jié)構(gòu)、形貌、光學(xué)性能隨鎘硒配比的改變而變化顯著,而PEG加入量的影響則相對較小。
　　2)P3HT/CdSe納米復(fù)合材料的制備與性能研究。以氧化鎘為鎘源,硒粉為硒源,液體石蠟和油酸(LP-OA)為溶劑,P3HT為共軛高分子模板,通過這種反應(yīng)體系直接地合成了P3HT/CdSe納米復(fù)合

4、材料。實驗中考察了鎘/硒摩爾比,反應(yīng)溫度,Cd/P3HT配比(P3HT加入量)對 P3HT/CdSe納米復(fù)合材料形貌和光學(xué)性能的影響,研究發(fā)現(xiàn)在鎘/硒摩爾比為1:2,反應(yīng)溫度為260℃的反應(yīng)條件下,可以獲得粒徑均勻分布的規(guī)則球狀 CdSe/P3HT納米復(fù)合物,該產(chǎn)物具有最佳的熒光淬滅效果,而調(diào)節(jié)鎘/硒摩爾比為2:1至4:1時,可以獲得四足狀CdSe/P3HT納米復(fù)合物。在這些CdSe/P3HT納米復(fù)合物的形成過程中,P3HT和油酸分別起