SiGe BiCMOS與CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf

1、隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的飛速發(fā)展和市場(chǎng)需求的不斷提高，對(duì)射頻接收機(jī)的性能提出了更高要求。對(duì)于接收機(jī)中的射頻電路模塊而言，低噪聲是一個(gè)非常重要的指標(biāo)。低噪聲放大器作為接收機(jī)的第一級(jí)其性能直接影響整機(jī)性能。 本文分別介紹了3.1-3.6GHz SiGe BiCMOS低噪聲放大器以及48-86OMHz CMOS可變?cè)鲆娴驮肼暦糯笃鞯脑O(shè)計(jì)。論文首先介紹了低噪聲放大器設(shè)計(jì)的基本射頻理論知識(shí)；然后介紹了低噪聲放大器基本的結(jié)構(gòu)框架以及各種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)

2、；論文重點(diǎn)介紹了兩種低噪聲放大器的結(jié)構(gòu)選擇、匹配方法、優(yōu)化設(shè)計(jì)以及電路仿真和版圖繪制。 SiGe BiCMOS低噪聲放大器采用兩級(jí)設(shè)計(jì)，前級(jí)采用BiFET結(jié)構(gòu)，很好的將BJT和MOS管的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合；后級(jí)采用簡(jiǎn)單的共射極結(jié)構(gòu)以滿足線性度的要求。此低噪聲放大器的設(shè)計(jì)直流功耗為60.4mW，工作頻段內(nèi)的輸入匹配S11<-15dB，輸出匹配S22<-10dB，增益S21達(dá)到20dB，輸出PldB>0dBm，噪聲系數(shù)<3dB。文章重點(diǎn)介紹了

3、此放大器的仿真原理圖的優(yōu)化過程、后期的測(cè)試以及后仿真與測(cè)試結(jié)果分析。 CMOS可變?cè)鲆娴驮肼暦糯笃鞑捎眯盘?hào)加成式可變?cè)鲆娼Y(jié)構(gòu)<'[29]>，外加線性校正電路實(shí)現(xiàn)了良好的線性dB值增益控制。電路采用了寬帶的匹配方式，在48-860MHz工作頻率范圍內(nèi)達(dá)到良好的匹配性能。最后電路的設(shè)計(jì)功耗為45mW，增益為-1dB-17dB，各種增益條件下的S11<-13dB，S22<-22dB，輸入P1dB>-19.5dBm，噪聲系數(shù)<3.6dB