SiGe RFIC寬帶低噪聲放大器的研究.pdf

1、作為無(wú)線接受裝置的關(guān)鍵組成部分，低噪聲放大器被用在許多領(lǐng)域，比如：移動(dòng)通訊、雷達(dá)、衛(wèi)星、電子對(duì)抗和藍(lán)牙技術(shù)等。低噪聲放大器必須均衡一系列的特性，比如噪聲性能、增益、帶寬、功率耗散和阻抗匹配。SiGe異質(zhì)結(jié)器件可以滿足以上要求，因?yàn)樗鼈兿啾扔诠杵骷?，在功耗較低的情況下有更高的增益、更低的噪聲系數(shù)、更高和更寬的工作頻率和更優(yōu)良的線性度。由于它的高性能、低成本和跟硅技術(shù)的兼容性，SiGe異質(zhì)結(jié)器件呈現(xiàn)出對(duì)由GaAs和InP等昂貴的材料做成的器

2、件的替代之勢(shì)。
　　對(duì)SiGe異質(zhì)結(jié)低噪聲放大器來(lái)說(shuō)，其器件和電路都是非常關(guān)鍵的。所以本論文對(duì)SiGe異質(zhì)結(jié)器件和射頻寬帶電路的設(shè)計(jì)都進(jìn)行了闡述。一些相關(guān)的主要技術(shù)如下：
　　1、器件的基區(qū)摻入了鍺組分，由于基區(qū)的帶隙減小導(dǎo)致出現(xiàn)明顯的升高。為了改善頻率特性，鍺的組分是由基區(qū)的發(fā)射極一側(cè)向集電極一側(cè)線性增加的。
　　2、為了解決基區(qū)摻雜物外擴(kuò)的問(wèn)題，采用兩個(gè)解決辦法：1）SiGe:C基區(qū)能有效地解決雜質(zhì)外擴(kuò)問(wèn)題。2）未

3、摻雜的緩沖層也能有效限制雜質(zhì)外擴(kuò)現(xiàn)象。另外，SiGe:C基區(qū)還能改進(jìn)HBT的頻率和增益特性。
　　3、為了得到平坦的增益和寬帶寬，低噪聲放大器電路被設(shè)計(jì)成三個(gè)級(jí)，采用了兩個(gè)反饋結(jié)構(gòu)。
　　4、采用一種開(kāi)關(guān)電路來(lái)方便地控制低噪聲放大器，使放大器只在需要的時(shí)候才工作，減少放大器的功率損耗。
　　5、為了盡可能的減少射頻芯片面積，電路的所有級(jí)都是自偏置結(jié)構(gòu)，在整個(gè)低噪聲放大器電路中只有一個(gè)大的電感。
　　通過(guò)對(duì)SiGe