與標準CMOS工藝兼容的硅基光發(fā)射器件研究.pdf

1、隨著光纖通信技術和微電子技術的飛速發(fā)展，光電集成的研究成為當今世界前沿研究的熱點。而其中關鍵的一環(huán)，就是要研制出一種能滿足光互聯(lián)技術要求的實用光源。硅是微電子技術的主要材料，但由于其為一種間接帶隙的半導體材料，在發(fā)光方面具有先天的不足。目前已經(jīng)發(fā)展了多種硅基光發(fā)射技術，如多孔硅、納米硅、鍺硅等技術，取得了許多重要的進展。但是，這些技術都采取了復雜的工藝手段，與當前微電子超大規(guī)模集成電路(VLSI)的成熟工藝不兼容，限制了芯片內部光互聯(lián)的

2、實現(xiàn)。由于硅發(fā)光器件結構簡單、與標準CMOS工藝兼容等特點，得到了許多研究者的注意，在發(fā)光機理研究、器件結構設計和制備方面取得了很大的進展。
　　 文在與標準COMS工藝兼容的硅基光發(fā)射器件方面進行了廣泛而深入的研究，通過測試Chartered公司0.35μm dg(雙柵)標準CMOS工藝進行流片制造的不同結構器件，對實驗結果進行總結，分析了結構對器件特性的影響。在此基礎上，采用0.35μm標準CMOS EEPROM工藝進行了器