基于Cell的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正技術(shù)研究.pdf

1、集成電路的集成度在最近的幾十年一直遵守著摩爾定律，以每18個(gè)月翻一番的速度不斷增加，芯片的特征尺寸也隨之不斷縮小，集成電路制造工藝越來越精細(xì)，這給設(shè)計(jì)和制造等一系列領(lǐng)域提出了許多新的要求，也帶來了許多深刻的變化，這其中包括RET(分辨率增強(qiáng)技術(shù))的廣泛應(yīng)用。隨著集成電路的特征尺寸逐漸下降到光刻所用的光源波長之下，由于光的衍射和光刻膠顯影蝕刻等因素帶來的不可避免的影響，硅片上實(shí)際印制出來的圖形與設(shè)計(jì)圖形不再一致，這使得如今的制造工藝已經(jīng)離

2、不開RET技術(shù)的支持，而OPC(光學(xué)鄰近效應(yīng)校正)則是RET技術(shù)中的一項(xiàng)重要內(nèi)容。 盡管OPC技術(shù)的廣泛應(yīng)用使得如今的光刻技術(shù)能夠印制的圖形越來越精細(xì)，然而在進(jìn)入到90nm時(shí)代以后，OPC校正的運(yùn)算時(shí)間過長，靈活性不高，難以利用版圖的層次化結(jié)構(gòu)等問題逐漸暴露出來，成為了制約集成電路制造技術(shù)繼續(xù)發(fā)展的一個(gè)重要瓶頸。 本文提出了一種新的基于Cell的光學(xué)鄰近效應(yīng)校正方法，其流程包括預(yù)校正單元庫的準(zhǔn)備，掩模圖形偏移量的初始化和

3、利用動(dòng)態(tài)調(diào)整算法進(jìn)行快速運(yùn)算等步驟，這種新的方法較好的解決了OPC過程中圖形間的相互影響問題，并提出了一種新的方法(Segment-Moving Map)來直觀的分析這種影響波及的范圍和形狀，從而充分的利用版圖的層次化結(jié)構(gòu)，使在深亞微米條件下由于計(jì)算量太大而被認(rèn)為成本很高的高精度掩模版制備過程在新算法的幫助之下得以大大降低運(yùn)算復(fù)雜度，減少OPC校正所消耗的時(shí)間，同時(shí)，這種方法為集成電路設(shè)計(jì)過程提供了含預(yù)校正結(jié)果的單元庫，使得設(shè)計(jì)工程師能