CAD Formulas of RFIC Components on a Two-layer Substrate with Loss by Synthetic Asymptote.pdf

1、本文通過(guò)“合成漸近”法得到有耗襯底射頻集成電路中幾種基本元器件的CAD公式。硅基射頻集成電路采用硅襯底，其中上層介質(zhì)（SiO<,2>）很薄，下層介質(zhì)（Si）有耗并接地，硅襯底采用高阻硅。通過(guò)“自展”，可以從簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的CAD公式推出較復(fù)雜結(jié)構(gòu)的CAD公式，如本文中可以從簡(jiǎn)單的貼片電容公式出發(fā)最終推出較復(fù)雜的螺旋電感公式。 采用“合成漸近”法，首先推導(dǎo)出兩層有耗介質(zhì)上的微帶線單位長(zhǎng)度電容的CAD公式，從而可以計(jì)算出微帶線特征阻抗和傳

2、播常數(shù)；然后用同樣的辦法得到了兩層有耗介質(zhì)上的貼片電容CAD公式，；最后得到兩層有耗介質(zhì)上正方形螺旋電感對(duì)地電容和電導(dǎo)公式，從而得到其等效電路及其S參數(shù)。 雖然每個(gè)公式中只有少數(shù)幾個(gè)系數(shù)，但是所有公式的平均誤差都小于2％。由于這些公式都是推導(dǎo)出來(lái)的而不是曲線擬合得到的，所以公式的適用范圍比較廣，可以覆蓋公式中絕大多數(shù)參數(shù)的變化范圍。更重要的是由“合成漸近”法得到的CAD公式簡(jiǎn)單，準(zhǔn)確，物理意義清晰，這對(duì)實(shí)際射頻集成電路的分析和設(shè)