基于SOCS的光學(xué)光刻系統(tǒng)仿真算法的研究.pdf

1、從0.18μm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，半導(dǎo)體制造工藝中便廣泛采用了“亞波長(zhǎng)光刻”技術(shù)。在亞波長(zhǎng)光刻下，由于光刻和掩模制造過(guò)程中的光的衍射及其他物理、化學(xué)現(xiàn)象，光刻后硅片表面成像將產(chǎn)生明顯的畸變。版圖圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程中的失真，將會(huì)影響到產(chǎn)品的性能參數(shù)，降低集成電路的成品率。為了消除這些負(fù)面的影響，半導(dǎo)體業(yè)界提出并廣泛采用分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RET)作為應(yīng)對(duì)。RET的采用能夠在一定程度上解決亞波長(zhǎng)光刻中的失真問(wèn)題，而相關(guān)EDA算法工具的開(kāi)發(fā)應(yīng)用是解決問(wèn)題的關(guān)

2、鍵所在。 無(wú)論何種分辨率增強(qiáng)技術(shù)，都需要有快速、精確、有效的光刻系統(tǒng)模型和相應(yīng)的算法的支持。掩模補(bǔ)償技術(shù)是目前分辨增強(qiáng)技術(shù)的主要形式，利用光刻系統(tǒng)模型，可以預(yù)測(cè)實(shí)際光刻條件下掩模在硅片表面所成的圖像，從而做出正確的掩模預(yù)補(bǔ)償。 本文主要圍繞光刻系統(tǒng)模型的結(jié)構(gòu)和相關(guān)算法以及具體實(shí)現(xiàn)等問(wèn)題展開(kāi)。本文介紹了集成電路制造和光刻工藝的基本流程及相關(guān)理論。針對(duì)光刻模型的光學(xué)成像系統(tǒng)，本文介紹了基本的基于Hopkins公式的曝光系統(tǒng)模