2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
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文檔簡介

1、新生兒缺氧缺血性腦損傷(hypoxic-ischemic brain damage,HIBD)是指在圍產(chǎn)期窒息缺氧等因素導(dǎo)致腦的缺氧缺血性損害,臨床上出現(xiàn)一系列腦病的表現(xiàn)。重度患兒常遺留腦癱、癲癇、智力障礙、共濟(jì)失調(diào)等后遺癥,給家庭和社會造成極大的負(fù)擔(dān)。因此,尋找有效的防治HIBD方法對于提高新生兒的存活率,降低致殘率,搞好優(yōu)生優(yōu)育,提高我國人口素質(zhì),具有重要的意義。
   缺氧缺血后腦組織血運供應(yīng)的改善與神經(jīng)元功能的恢復(fù)密切相

2、關(guān)。血管內(nèi)皮細(xì)胞生長因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)是一組近年來新發(fā)現(xiàn)的血管新生因子,是一種特異性作用于血管內(nèi)皮細(xì)胞的多功能細(xì)胞因子,也是血管發(fā)生和神經(jīng)營養(yǎng)因子,不僅能促進(jìn)血管的新生,還能直接作用于神經(jīng)細(xì)胞發(fā)揮神經(jīng)營養(yǎng)和神經(jīng)保護(hù)的作用。
   目的
   近年來,物理治療方法如電刺激、功能訓(xùn)練、針灸、按摩等在腦缺血疾病的治療過程中越來越受到重視,而電刺激目前治療成年腦

3、缺血性疾病的療效已得到肯定,但對HIE恢復(fù)期的療效在國內(nèi)外卻少有報道,更缺少實驗證據(jù)。本實驗通過制作新生大鼠缺氧缺血性腦損傷模型,給予電刺激其小腦項核,利用免疫組化方法來觀察腦組織中VEGF及其受體的表達(dá),并通過記憶能力測試,探討電刺激對腦保護(hù)作用的機制。
   材料與方法
   1.分組
   新生7日齡健康SD大鼠105只,雌雄不限,體重12-16g,隨機分成A、B兩組。每組又分為對照組、模型組、電刺激組,A

4、組各25只,B組各10只。A組在造模術(shù)后又按1天、3天、7天、14天、21天隨機分成5組,每組各5只。
   2.Rice法模型制作
   新生7日齡健康SD大鼠,乙醚吸入麻醉,取頸左側(cè)切口,游離左頸總動脈,用絲線結(jié)扎,縫合切口,置于缺氧箱中,持續(xù)充以氣流量為2L/min的8:92氧氮混合氣體2h。對照組僅分離出左側(cè)頸總動脈,不結(jié)扎也不缺氧。術(shù)后夾尾左旋是制模成功的標(biāo)志,據(jù)此納入實驗。
   3.電刺激治療方法<

5、br>   電刺激組在術(shù)后12 h開始刺激治療,每次電刺激30分鐘,刺激部位為耳后相當(dāng)于人乳突處,每日1次,電刺激強度為3.5V、頻率50HZ,使大鼠肢體稍有震顫為宜。對照組與模型組不予電刺激治療,僅予相應(yīng)時段捕捉固定。
   4.標(biāo)本采集與制備
   A組三組大鼠每組分別于術(shù)后1天、3天、7天、14天、21天隨機各取5只大鼠,應(yīng)用乙醚麻醉后,剪開胸腔,暴露心臟,剪開右心耳,以20ml注射器連接5號頭皮針經(jīng)左心室心尖部

6、先灌注9g/L鹽水50ml,然后灌注40g/L多聚甲醛溶液。沿頸部斷頭,眼科鑷剝離顱骨,離斷視神經(jīng)和延髓完整取出腦組織,取以海馬為中心的腦組織,40g/L多聚甲醛固定24h,將腦組織沿視交叉和正中隆起處做冠狀切開,分別做冠狀切片,進(jìn)行VEGF及VEGFR1、VEGFR2的免疫組化檢測,并對切片進(jìn)行病理學(xué)指標(biāo)的檢測。
   5.指標(biāo)測定
   5.1腦組織HE染色
   光學(xué)顯微鏡下觀察結(jié)果。
   5.2

7、腦組織VEGF及VEGFR1、VEGFR2的測定
   高倍光鏡下觀察大鼠海馬區(qū)VEGF及VEGFR1、VEGFR2陽性細(xì)胞數(shù)的表達(dá),胞核染成棕黃色者判為陽性表達(dá)產(chǎn)物。利用Image-pro plus6.0軟件系統(tǒng)對切片進(jìn)行平均光密度測定,每張切片隨機選取5個視野,取其平均值。
   5.3記憶能力測試
   采用Y迷宮實驗。于手術(shù)后第28天對B組各組大鼠進(jìn)行迷宮實驗測試,以連續(xù)10次測試中有9次正確的反應(yīng)為達(dá)到

8、學(xué)會的標(biāo)準(zhǔn),記錄每一動物迷路分辨學(xué)習(xí)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)前所需要的測試數(shù)和正確反應(yīng)率。24 h后重復(fù)以上實驗的過程。
   6.統(tǒng)計學(xué)分析:
   采用SPSS for windows13.0進(jìn)行統(tǒng)計分析,方法為單因素方差分析,組間兩兩比較采用LSD-t檢驗,數(shù)據(jù)均以x±s表示,以α=0.05為顯著性檢驗水準(zhǔn)。
   結(jié)果:
   1.HE染色結(jié)果:
   對照組神經(jīng)細(xì)胞形態(tài)正常,胞質(zhì)豐富,細(xì)胞排列整齊緊密,

9、細(xì)胞核清楚,核仁明顯,胞漿染色均勻,胞膜完整。模型組海馬區(qū)錐體細(xì)胞變性,細(xì)胞間隙增大,排列紊亂,正常神經(jīng)元減少,可見大量明顯的壞死灶,壞死中心區(qū)呈空泡樣變,神經(jīng)細(xì)胞數(shù)量減少,胞質(zhì)皺縮,核濃縮深染,核仁消失,胞漿疏松,間質(zhì)水腫。電刺激組神經(jīng)細(xì)胞變性壞死較少,損傷程度明顯減輕,海馬區(qū)錐體細(xì)胞及神經(jīng)元存活數(shù)量多,多數(shù)細(xì)胞形態(tài)相對正常。
   2.VE6F、VE6FR1、VE6FR2免疫組化染色:
   電刺激組各個時間點VEG

10、F及VEGFR1、VEGFR2表達(dá)均高于模型組和對照組(P<0.05);模型組各個時間點VEGF及VEGFR1、VEGFR2表達(dá)均高于對照組(P<0.05);電刺激組和模型組VEGF表達(dá)于第3天達(dá)高峰,持續(xù)14天開始下降至21天仍有表達(dá),VEGFR1、VEGFR2表達(dá)于第7天達(dá)到高峰,持續(xù)14天開始下降至21天仍有表達(dá);對照組各個時間點的VEGF及VEGFR1、VEGFR2表達(dá)無明顯差異(P>0.05)。
   3.記憶能力測試

11、:
   模型組大鼠第1天達(dá)標(biāo)所需反應(yīng)次數(shù)顯著多于對照組,正確反應(yīng)率顯著低于對照組,第2天復(fù)測仍有相似結(jié)果,而電刺激組第1天達(dá)標(biāo)所需反應(yīng)次數(shù)顯著低于模型組,正確反應(yīng)率也顯著高于模型組,各組相比均有顯著意義(P<0.05);在模型組,第2天正確率未見明顯提高,與第1天相比P>0.05,余均見明顯提高(P<0.05)。
   結(jié)論:
   1.電刺激可促進(jìn)HIBD新生大鼠腦組織VEGF及其受體VEGFR1、VEGFR

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