摻雜MgB-,2-體系超導(dǎo)電性與平均價電子數(shù)的關(guān)系及MgB-,2-薄膜金屬-絕緣轉(zhuǎn)變的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文主要分兩部分內(nèi)容。 第一部分首先主要介紹超導(dǎo)的發(fā)展、超導(dǎo)電性的基本性質(zhì)以及超導(dǎo)的分類.2001年超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度高達39K的金屬間化合物MgB2的發(fā)現(xiàn)激起了物理學(xué)界、材料界和工業(yè)界的廣泛關(guān)注,我們概要地分析了幾年來超導(dǎo)MgB2的研究現(xiàn)狀.超導(dǎo)體中原子的價層電子與原子核的相互作用的強弱與其作為整體的化合物MgB<,2>及其摻雜超導(dǎo)體系的超導(dǎo)電性關(guān)系緊密相關(guān).因此我們采用平均價電子數(shù)作為摻雜MgB2超導(dǎo)電性的一個判斷標(biāo)準(zhǔn),對MgB

2、<,2>超導(dǎo)體及摻雜MgB2超導(dǎo)體系平均價電子數(shù)進行了研究,結(jié)果表明MgB<,2>體系超導(dǎo)材料的平均價電子數(shù)值在Tc-Zv圖中集中分布在2.61附近. 第二部分從能帶理論、Anderson模型、Mott金屬-絕緣轉(zhuǎn)變模型、近藤效應(yīng)等方面探討了金屬-絕緣轉(zhuǎn)變的理論機理.介紹了我們小組采用射頻磁控濺射方法在Si/MgO襯底上制備了MgB<,2>薄膜實驗,通過X射線衍射圖分析了不同退火溫度對薄膜結(jié)構(gòu)性質(zhì)的影響;用直流四探針法對其阻溫特

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