晶圓清洗工藝中水痕問題的研究.pdf

1、在集成電路制造清洗工藝中，水痕缺陷是一種常見的缺陷類型，其對芯片的良率具有較大的影響，特別是在前段制造工藝中（FEOL）。本文以動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）芯片柵電極制作中在硅化鎢（Wsix）沉積之前多晶硅自生氧化物去除清洗（Wsix PRECLEAN）工藝步驟做為實驗對象，對此工藝步驟產(chǎn)生的水痕缺陷進行研究。通過對大量缺陷的電子掃描和對缺陷的化學成分進行分析，找出水痕缺陷的特點，得出判斷方法。繼續(xù)完成后續(xù)工藝步驟，逐步觀察水痕缺陷在

2、后續(xù)工藝中形態(tài)的變化、對后續(xù)工藝步驟產(chǎn)生的影響和缺陷對產(chǎn)品良率的影響,并分析得出其失效模式。對于已經(jīng)產(chǎn)生的水痕缺陷，由成分分析的結果，找出有效的重新化學表面處理（REWORK）去除缺陷的方法。分析研究對象表面材質(zhì)親水性質(zhì)，并依據(jù)晶圓在化學清洗液中的清洗原理，闡述經(jīng)清洗工藝中不同特性的化學清洗液處理以后的晶圓表面親水性質(zhì)，結合當前廣泛應用在晶圓清洗中的干燥機構，來研究不同的表面親水性質(zhì)在不同干燥工藝條件下與水痕缺陷之間產(chǎn)生的聯(lián)系。最后根據(jù)