已閱讀1頁,還剩156頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀
版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、本文對異質(zhì)結(jié)雙極晶體管器件物理和制備及其與光電探測器的單片集成進行了研究。成果如下: (1)深入研究了因摻雜引起的異質(zhì)結(jié)能帶突變量△EC、△EV的變化對HBT器件電學性能的影響。得出結(jié)論是:為了精確的器件模擬計算和優(yōu)化設計,考慮能帶變窄(BGN)在導帶、價帶上分配比例隨摻雜濃度不同而變化的更準確模型對突變HBT器件性能的分析是非常重要的。 (2)突變異質(zhì)結(jié)界面處準費密能級是不連續(xù)的,作者首次指出重摻雜將使異質(zhì)結(jié)界面兩側(cè)準
2、費密能級斷裂量發(fā)生改變,并對一典型結(jié)構(gòu)的重摻雜突變HBT準費密能級斷裂量的改變值進行了計算。研究表明:準費密能級斷裂量的變化將對HBT的空間電荷區(qū)復合電流產(chǎn)生影響。 (3)基于熱場發(fā)射-擴散模型,在電流連續(xù)性方程中考慮空間電荷區(qū)的復合電流、在突變異質(zhì)結(jié)界面處使用一般性的電流邊界條件方程(考慮界面兩側(cè)能帶狀態(tài)密度不同、有效質(zhì)量差和簡并效應等)的基礎(chǔ)上,推出了描述突變HBT載流子輸運特性的新解析模型方程。利用此方程,可以更精確地對不
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管HBT單邊增益研究.pdf
- SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管技術(shù)研究.pdf
- SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe HBT)研究與設計.pdf
- 高頻功率SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的設計與優(yōu)化.pdf
- GaAs基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的模擬、設計與制作.pdf
- 超高頻SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的可制造性設計.pdf
- GeSi-Si異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)可靠性實驗研究.pdf
- SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管研究——一種平面集成多晶發(fā)射極SiGe異質(zhì)結(jié)晶體管部分工藝因素影響的研究.pdf
- 熱電應力下Si-SiGe-Si異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)可靠性實驗研究.pdf
- 異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管的制備與研究.pdf
- Si光電負阻器件和Si-Ge異質(zhì)結(jié)混合模式晶體管的模擬研究.pdf
- 有機異質(zhì)結(jié)場效應晶體管器件的性能研究.pdf
- InGaAs-InP異質(zhì)結(jié)光晶體管的器件設計與理論研究.pdf
- 論文-結(jié)型光電探測器
- InP基及含磷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管材料結(jié)構(gòu)設計與氣態(tài)源分子束外延生長研究.pdf
- 光電探測器的物理基礎(chǔ)
- AlN-GaN異質(zhì)結(jié)場效應晶體管器件特性研究.pdf
- 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)研究.pdf
- ZnO納米線薄膜晶體管和紫外光探測器研究.pdf
- 高性能低維半導體材料-硅異質(zhì)結(jié)光電探測器.pdf
評論
0/150
提交評論