異質(zhì)結(jié)雙極晶體管器件物理和制備及其與光電探測器的單片集成.pdf

1、本文對異質(zhì)結(jié)雙極晶體管器件物理和制備及其與光電探測器的單片集成進行了研究。成果如下： (1)深入研究了因摻雜引起的異質(zhì)結(jié)能帶突變量△EC、△EV的變化對HBT器件電學性能的影響。得出結(jié)論是：為了精確的器件模擬計算和優(yōu)化設計，考慮能帶變窄(BGN)在導帶、價帶上分配比例隨摻雜濃度不同而變化的更準確模型對突變HBT器件性能的分析是非常重要的。 (2)突變異質(zhì)結(jié)界面處準費密能級是不連續(xù)的，作者首次指出重摻雜將使異質(zhì)結(jié)界面兩側(cè)準

2、費密能級斷裂量發(fā)生改變，并對一典型結(jié)構(gòu)的重摻雜突變HBT準費密能級斷裂量的改變值進行了計算。研究表明：準費密能級斷裂量的變化將對HBT的空間電荷區(qū)復合電流產(chǎn)生影響。 (3)基于熱場發(fā)射-擴散模型，在電流連續(xù)性方程中考慮空間電荷區(qū)的復合電流、在突變異質(zhì)結(jié)界面處使用一般性的電流邊界條件方程(考慮界面兩側(cè)能帶狀態(tài)密度不同、有效質(zhì)量差和簡并效應等)的基礎(chǔ)上，推出了描述突變HBT載流子輸運特性的新解析模型方程。利用此方程，可以更精確地對不