GaInAsSb紅外探測(cè)器的器件與物理研究.pdf_第1頁(yè)
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1、Ⅲ-V族半導(dǎo)體化合物GaInAsSb材料,隨著材料組分變化,它的帶隙在1.42~0.1eV的范圍內(nèi)變化,覆蓋了1~3微米、3~5微米、8~14微米三個(gè)重要紅外波段.與GaSb襯底晶格匹配的GaInAsSb的禁帶寬度可以覆蓋從1.7μm至4.3μm的波段,這種材料在紅外成像、污染監(jiān)測(cè)、工業(yè)控制等方面有重要的實(shí)用價(jià)值,同時(shí)在未來(lái)的超低損耗光纖通信中又具有潛在應(yīng)用.GaInAsSb紅外探測(cè)器是一種新型化合物半導(dǎo)體材料紅外探測(cè)器,具有響應(yīng)速度快

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