(100)、(110)硅片濕法各向異性腐蝕特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、硅基濕法各向異性腐蝕被廣泛的應(yīng)用于MEMS的微結(jié)構(gòu)制作中,例如用來形成膜片、懸臂梁、凹槽、臺(tái)面等三維結(jié)構(gòu)。在許多實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中控制腐蝕面的形貌是至關(guān)重要的,器件通常要求腐蝕表面光滑平整,無缺陷。另外對(duì)于各向異性腐蝕的研究有利于得到更復(fù)雜的MEMS微結(jié)構(gòu)。 本文對(duì)BN303-30光刻膠展開光刻實(shí)驗(yàn),不同的光刻膠厚度和烘培條件都會(huì)導(dǎo)致不同的光刻膠特性參數(shù)。實(shí)驗(yàn)顯示在特定厚度的光刻膠情況下,由于曝光不足而形成針孔,造成光刻失敗,而曝光

2、時(shí)間過長也對(duì)光刻效果造成不良影響。對(duì)于光刻來講具體工藝參數(shù)需要由實(shí)驗(yàn)來確定。 本文對(duì)硅材料的各向異性腐蝕機(jī)理及特性進(jìn)行了探討,并以此為基礎(chǔ)進(jìn)行了(100)、(110)硅片濕法各向異性腐蝕工藝研究。在KOH與IPA混合腐蝕液腐蝕系統(tǒng)中,由于IPA的加入,氫氣泡可以快速的脫離硅表面,表面生成的硅酸鹽與IPA分子形成可溶于水的絡(luò)合物得以離開表面,使得硅表面的形貌得到改善。IPA分子與OH-競爭硅(110)表面的特定位置,而吸附了IPA

3、分子的位置原子的背鍵不再由于OH-的作用而減弱,此點(diǎn)的反應(yīng)暫時(shí)停止。此機(jī)制使(110)面在IPA加入后腐蝕速率V(110)減小,實(shí)驗(yàn)通過IPA的加入利用V(110)、V(111)的關(guān)系得到了八面體凹槽結(jié)構(gòu)。 KOH系統(tǒng)中1,6己二醇和乙醇的加入有利于硅酸鹽顆粒和微氫氣泡的脫離,硅(110)表面對(duì)于1,6己二醇和乙醇的吸附則十分有限,使得腐蝕的各向異性并沒有明顯增強(qiáng)。(110)硅表面得到了改善,并且在50%KOH濃度的情況下,表面

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