90納米工藝2千兆雙密度閃存開發(fā).pdf

1、隨著近年來便攜式消費(fèi)類電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，對于大容量快閃存儲(chǔ)器的需求量成指數(shù)級(jí)上升，目前用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用途的NAND型閃存在MP3，各類存儲(chǔ)卡，USB閃存盤中都有著廣泛的應(yīng)用，隨著新的應(yīng)用平臺(tái)(如微軟VISTA的Ready Boost功能，Intel的Robson)的出現(xiàn)，閃存的市場還在持續(xù)擴(kuò)大．各大國際整合元件大廠如三星，海力士，東芝，美光，英特爾都在大力投資開發(fā)工藝領(lǐng)先的NAND型閃存產(chǎn)品。作為世界領(lǐng)先的專業(yè)半導(dǎo)體企業(yè)，中芯國際為了滿

2、足客戶的需要也在以色列專業(yè)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠商Saifun的NROM技術(shù)授權(quán)下以中芯國際先進(jìn)的90nm工藝開發(fā)了2千兆的雙密度閃存，并將以更先進(jìn)的工藝持續(xù)開發(fā)4千兆，8千兆的產(chǎn)品。 雙密度閃存是一種以氮化硅俘獲電子為原理的非揮發(fā)型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。存儲(chǔ)單元由一個(gè)N型晶體管構(gòu)成，只是將柵氧化層替換成氧化硅-氮化硅-氧化硅的三明治結(jié)構(gòu)，在這種存儲(chǔ)單元中電荷能夠分別被存儲(chǔ)在源漏結(jié)上方的氮化硅層中，這樣再無需利用復(fù)雜的多閥值電壓技術(shù)的條件下

3、，依然能夠達(dá)到在一個(gè)存儲(chǔ)單元存放多個(gè)位元的目的。對于非揮發(fā)型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器最基本的編寫刪除，雙密度閃存分別采用了溝道熱電子注入，和隧穿協(xié)助熱空穴注射的方式實(shí)現(xiàn)。而對于特別的單個(gè)存儲(chǔ)單元存放雙位元的特點(diǎn)，雙密度閃存更是開發(fā)了獨(dú)特的反向讀取的技術(shù)。 本文利用雙密度閃存的物理原理，從優(yōu)化編寫/擦除(Program/Erase)算法的角度，在產(chǎn)品工程樣品驗(yàn)證中提出了解決可編程文件存儲(chǔ)區(qū)低成品率，存儲(chǔ)區(qū)缺陷的快速診斷，錯(cuò)誤信號(hào)處理，位線串?dāng)_