碳化硅量子點制備及其活體細胞熒光標(biāo)記與動態(tài)示蹤.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩77頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、量子點材料由于具有獨特的光學(xué)性能在熒光標(biāo)記、成像及動態(tài)示蹤方面?zhèn)涫荜P(guān)注,成為國內(nèi)外納米生物技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點。日前,隨著對鎘系量子點(如CdSe、 CdTe、CdS等)研究的不斷深入,其生物學(xué)應(yīng)用過程中的細胞毒性問題也日趨顯現(xiàn),開發(fā)低毒甚至無毒的非Cd系量子點已成為業(yè)界共識,近年來,碳化硅量子點由于具有優(yōu)良的光學(xué)特性及生物相容性成為最具有發(fā)展前景的新型納米生物材料。
  基于此,本文開發(fā)出一種粒子尺寸及表面物化特性可調(diào)控的碳化硅量

2、子點制備新工藝,探究了材料成型過程中微觀形貌的演變過程、各工藝參數(shù)對其光學(xué)性能的影響、量子點表面修飾對其特征發(fā)射光譜的影響、SiC量子點活體細胞引入形式及其相互作用、熒光標(biāo)記的活體細胞穩(wěn)定性及長時程示蹤等內(nèi)容,獲得如下結(jié)果:
  首先,采用化學(xué)腐蝕法,一步法制備出表面具有親有機物基團的碳化硅量子點水相溶液,具體過程為:采用自蔓延燃燒合成的均質(zhì)β-SiC粉體材料,通過調(diào)整腐蝕劑組分及相對含量,實現(xiàn)SiC顆粒的快速腐蝕,經(jīng)降酸處理后烘

3、干,機械研磨結(jié)合超聲波空化破碎處理,最后在超重力場中層析剪裁,獲得SiC量子點水相溶液。對其成型過程中微觀組織形貌演變規(guī)律進行研究,結(jié)果表明,由于自蔓延燃燒具有反應(yīng)迅速、冷卻速度快而易形成非平衡結(jié)晶條件的特點,使得SiC顆粒表面形成較多缺陷(如晶格畸變等),腐蝕激活能較低,因此無需通電,SiC顆粒便極易在混合腐蝕劑內(nèi)被腐蝕為多孔鏤空結(jié)構(gòu),這對量子點尺寸調(diào)控至關(guān)重要。
  其次,通過調(diào)整腐蝕劑組分及其配比,可以實現(xiàn)SiC量子點表面親

4、有機物基團的有效調(diào)控,如當(dāng)V(HNF)∶ V(HNO3)∶ V(H2SO4)=6∶1∶1時,既能保證巰基的耦合穩(wěn)定性又能保證其較大的光致發(fā)光強度。對量子點光學(xué)特性的研究結(jié)果表明,當(dāng)激發(fā)光波長為340nm時,其光致發(fā)光波長為450nm,強度最大,斯托克斯位移可達110nm,隨著激發(fā)光波長增加,發(fā)射光將發(fā)生紅移。同時,發(fā)射光波長與量子點尺寸密切相關(guān),相同激發(fā)光波長下,隨著直徑減小,發(fā)射光會發(fā)生藍移。
  最后,通過內(nèi)吞法,實現(xiàn)了出芽短

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論