砷化鎵PIN二極管工藝研究.pdf_第1頁(yè)
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1、在大功率發(fā)射的電子系統(tǒng)中,為了防止高靈敏接收機(jī)前置低噪聲放大器(LNA)被發(fā)射的泄漏功率燒毀,需要在前置低噪聲放大器前面安置PIN二極管限幅器,通過(guò)控制PIN二極管的工作狀態(tài),在高功率的微波信號(hào)通過(guò)限幅器時(shí)被衰減到較低的功率電平,而小功率微波信號(hào)則以較小的插損順利通過(guò)。 砷化鎵材料在各種高速模擬應(yīng)用領(lǐng)域具有不可替代的優(yōu)勢(shì),而且砷化鎵具有比硅更寬的禁帶寬度,因此有更好的抗輻射和抗干擾能力。砷化鎵PIN二極管是砷化鎵PIN限幅器單片

2、電路的主要組成部分,良好的PIN二極管器件性能和較高的可靠性是整個(gè)芯片電路的關(guān)鍵。 本論文討論了PIN二極管的工作原理和工藝實(shí)現(xiàn)方法,通過(guò)對(duì)GaAs摻雜、N型和P型GaAs歐姆接觸、臺(tái)面形成工藝的研究,最終采用了以MOCVD外延生長(zhǎng)的GaAs外延材料制作PIN二極管,臺(tái)面采用磷酸系腐蝕液用濕法腐蝕的方法形成,N型歐姆接觸金屬和P型歐姆接觸金屬分別采用AuGeNi/Au和Ti/Pt/Au。 通過(guò)以上工藝技術(shù)開(kāi)發(fā),配合現(xiàn)有G

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