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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文CoAg納米線陣列的制備與性能研究姓名:米穎娟申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):材料科學(xué)與工程指導(dǎo)教師:唐成春李養(yǎng)賢20080301CoAg納米線陣列的制備與性能研究iiPREPARATIONSTUDYONTHEPEOPERTIESOFCoAgNANOWIRESABSTRACTCoAgarrayswithdifferentsharpsstructureswerepreparedbydirectcurrentelectrod
2、epositionalternatingcurrentelectrodeposition.UsingthedirectcurrentmethodthegrowthmechanismcurrenttimecurveoftheCoAgnanowireswerediscussed.Thehysteresisloopsinthedifferentvoltage1.2V、1.4V、1.6V、1.8V、2.0Vwereacterizedanalys
3、edinthedirectcurrentelectrodeposition.ThedifferentpartsofCoAgnanowireswereacterizedbyscanningelectronmicroscopy(SEM).Theremanenceratiocoercivitychangewiththedifferentvoltagebutnotindirectratio.Thebestdepositingvoltageis1
4、.2vbyexperimentation.Xraydiffraction(XRD)patternsofCoAgnanowiresclearlyshowedthattheypresented(100)crystalfaceCo、(111)(202)(311)(222)crystalfaceAgthealloyofhexagonal(202)CoAg.Bytheannealingtheremanenceratiocoercivityarei
5、ncreasingcrespondingly.Usingthealternatingcurrentmethodthefallingvoltageprocessisanimpotanttacheinthetemplatepreparation.Itishelpfultodepositingnanowires.ThemicrostructureschemicalcompositionofCoAgnanowireswereacterizedb
6、yscanningelectronmicroscopy(SEM).Thehysteresisloopsinthedifferentvoltage12V、14V、16V、18V、20Vwereacterizedanalysedinthealternatingcurrentelectrodepositionbyvibratingsamplemagometer(VSM).Thehysteresisloopsshowthatallofthena
7、nowiresexhibitedmagicanisotropywiththeeasyaxisalongthenanowires.Thebestdepositingvoltagefrequencyare18V200Hz.XRDpatternsofCoAgnanowiresclearlyshowedthattheypresented(101)crystalfaceCo、(100)crystalfaceAgtetragonal(312)CoA
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