Pt及Cu-,2-O納米薄膜的制備和催化性能分析.pdf

1、本碩士學(xué)位論文在多孔硅(PS)和導(dǎo)電玻璃(ITO)基底上，成功制備了Pt和Cu2O納米薄膜；用原子力顯微鏡(AFM)、掃描電子顯微鏡(SEM)研究了所制薄膜材料的形貌學(xué)特征；用X射線衍射(XRD)和能量色散X射線能譜儀(EDX)分析了薄膜材料的元素組成和晶體學(xué)性質(zhì)；用循環(huán)伏安(CV)、線性伏安(LSV)、開(kāi)路電位(OCP)、電流～時(shí)間(Amperometric i～t)、交流阻抗(IMP)等電化學(xué)方法分析了所制備薄膜材料的電化學(xué)性能和沉

2、積機(jī)理：同時(shí)較系統(tǒng)地研究了該薄膜在電化學(xué)催化方面的應(yīng)用前景。論文主要內(nèi)容如下： 1.利用化學(xué)鍍(Elcctroless deposition or chemical deposition)原理和p-Si(100)片作為基底，采用浸入沉積(Immersion deposition)技術(shù)，在該基底表面首先成功制得Ag、Au、Pd和Pt的晶粒層；用原子力顯微鏡(AFM)、開(kāi)路電位(OCP)和交流阻抗(A.C.Impedance)方法對(duì)

3、所制備的晶粒層表面形貌、電化學(xué)特性進(jìn)行了系統(tǒng)表征和研究。結(jié)果顯示，Ag、Pd和Au金屬在沉積60s后即可完全覆蓋基底，可以作為晶粒層使用；而Pt沉積量較少，不能作為晶粒層使用。Ag、Pd和Au作為晶粒層的使用，應(yīng)當(dāng)參考實(shí)際需要而考慮。 2.采用浸入沉積技術(shù)，首次成功的在多孔硅表面制備了Pt納米薄膜。用X射線衍射(XRD)、能量色散的X射線能譜儀(EDX)和掃描電鏡(SEM)表征了該薄膜的組成和形貌。結(jié)果顯示所制備的Pt納米薄膜具

4、有較小的粒徑和較大的比表面積。用循環(huán)伏安法(CV)對(duì)該薄膜的催化活性進(jìn)行了研究，證明當(dāng)沉積時(shí)間超過(guò)24 min時(shí)，薄膜對(duì)甲醇的氧化有良好的催化活性。 3.在檸檬酸鈉(Na3C6H5O7)緩沖溶液中，用恒電位沉積法在導(dǎo)電玻璃(ITO)表面制備了p型納米半導(dǎo)體氧化亞銅(Cu2O)薄膜。用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)、X射線衍射(XRD)和循環(huán)伏安法(CV)對(duì)薄膜的形貌和成分進(jìn)行了分析；用開(kāi)路電位-時(shí)間(Ocpt～t)技術(shù)對(duì)薄膜的光