硅烷化處理對(duì)鈷鉻合金防腐蝕性能的影響.pdf

1、目的:研究在不同硅烷水解pH值和電沉積時(shí)間下制備的DTMS硅烷膜對(duì)鈷鉻合金防腐蝕性能的影響。
　　 材料和方法:根據(jù)不同硅烷水解PH值(4～6)和電沉積時(shí)間(10～20min)將鈷鉻合金試件30個(gè)隨機(jī)分入9個(gè)實(shí)驗(yàn)組和1個(gè)空白對(duì)照組,用-0.8v陰極電位沉積技術(shù)在試件表面沉積制備硅烷膜,并采用電化學(xué)腐蝕法模擬在口腔環(huán)境下對(duì)沉膜前后鈷鉻合金的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度進(jìn)行測(cè)試。
　　 結(jié)果:
　　 1.拉曼光譜圖可觀

2、察到-Si-O-Si-、-OCH3-、-CH3-、-CH2-、-SiOH-、-SiOC-等硅烷膜所含基團(tuán)的伸縮振動(dòng)峰。電子掃描顯微鏡顯示試件表面電沉積所制得的硅烷膜結(jié)構(gòu)較為致密均勻,當(dāng)浸泡于人工唾液2周后成膜試件表面無(wú)明顯變化,而未成膜試件表面則可見到大量黑色腐蝕產(chǎn)物和腐蝕坑。
　　 2.電化學(xué)腐蝕分析軟件顯示,硅烷化處理組的自腐蝕電位高于對(duì)照組,自腐蝕電流密度均低于對(duì)照組,差別有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＜0.05)。
　　 3.

3、當(dāng)電沉積時(shí)間一定時(shí),不同的硅烷水解pH組之間的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度有顯著差別(P＜0.05),自腐蝕電位pH4組＞pH5組＞pH6組,自腐蝕電流密度pH4組＜pH5組＜pH6。
　　 4.當(dāng)硅烷水解pH一定時(shí),不同的電沉積時(shí)間組之間的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度有顯著差別(P＜0.05),自腐蝕電位15min組＞20min組＞10min,自腐蝕電流密度15min組＜20min組＜10min。
　　 5.硅烷化處理組4

4、-15(硅烷水解pH=4,電沉積時(shí)間T=15min)和其余組的自腐蝕電位、自腐蝕電流密度的差別有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P＜0.05),其自腐蝕電位均高于其余組,自腐蝕電流密度均低于其余組。
　　 結(jié)論:
　　 1.采用陰極電位沉積技術(shù)可在鈷鉻合金表面形成較為致密、均勻的硅烷膜,其顯著提高了鈷鉻合金的防腐蝕性能。
　　 2.硅烷水解pH和電沉積時(shí)間對(duì)硅烷化處理后鈷鉻合金的防腐蝕性能影響較大。在DTMS硅烷水解pH為4,電沉積