4H-SiC MESFET參數(shù)模型和射頻放大器的設(shè)計(jì).pdf

1、SiC材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)良特性,這些特性決定了它在高溫、大功率、高頻和抗輻照等領(lǐng)域的有著廣泛的應(yīng)用前景.因此基于4H-SiC的功率微波器件--金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)越來越受到人們的重視.本文就4H-SiC MESFET的微波特性研究中的大信號(hào)模型和射頻電路設(shè)計(jì)兩個(gè)方面進(jìn)行了研究.本文提出了兩種基于4H-SiC MESFET的材料特性參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)的大信號(hào)建模方法:一是通過建

2、立適用于4H-SiC MESFET的高頻小信號(hào)物理模型數(shù)值計(jì)算獲得不同偏壓下的高頻小信號(hào)二端口Y矩陣參數(shù),利用4H-SiC MESFET高頻小信號(hào)等效電路,得到4H-SiCMESFET的直流、電容等非線性特性,建立基于物理模型的大信號(hào)模型;二是結(jié)合經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ秃徒馕瞿Ｐ徒?H-SiCMESFET的準(zhǔn)解析參數(shù)模型,該模型能反映器件基本物理工作機(jī)理和適合射頻電路CAD軟件應(yīng)用,該模型驗(yàn)證結(jié)果表明具有一定的準(zhǔn)確性和合理性.利用所建立的4H-Si