版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、SiC材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等優(yōu)良特性,這些特性決定了它在高溫、大功率、高頻和抗輻照等領(lǐng)域的有著廣泛的應(yīng)用前景.因此基于4H-SiC的功率微波器件--金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)越來越受到人們的重視.本文就4H-SiC MESFET的微波特性研究中的大信號(hào)模型和射頻電路設(shè)計(jì)兩個(gè)方面進(jìn)行了研究.本文提出了兩種基于4H-SiC MESFET的材料特性參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)的大信號(hào)建模方法:一是通過建
2、立適用于4H-SiC MESFET的高頻小信號(hào)物理模型數(shù)值計(jì)算獲得不同偏壓下的高頻小信號(hào)二端口Y矩陣參數(shù),利用4H-SiC MESFET高頻小信號(hào)等效電路,得到4H-SiCMESFET的直流、電容等非線性特性,建立基于物理模型的大信號(hào)模型;二是結(jié)合經(jīng)驗(yàn)?zāi)P秃徒馕瞿P徒?H-SiCMESFET的準(zhǔn)解析參數(shù)模型,該模型能反映器件基本物理工作機(jī)理和適合射頻電路CAD軟件應(yīng)用,該模型驗(yàn)證結(jié)果表明具有一定的準(zhǔn)確性和合理性.利用所建立的4H-Si
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 射頻放大器的研究.pdf
- 射頻放大器的設(shè)計(jì)與研究.pdf
- 4H-SiC MESFET非線性模型研究.pdf
- 基于SiC MESFET射頻功率放大器研究.pdf
- 射頻放大器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- 射頻放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- 4H-SiC MESFET理論模型與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 噪聲系數(shù)測(cè)量和射頻放大器的研究.pdf
- 高能效4H-SiC MESFET設(shè)計(jì)與仿真.pdf
- 4H-SiC MESFET匹配電路的研究.pdf
- 新結(jié)構(gòu)4H-SiC MESFET設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 4H-SiC MESFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和理論建模研究.pdf
- 新型階梯溝道4H-SiC MESFET設(shè)計(jì)與仿真.pdf
- 1.92.0ghz窄帶射頻放大器的研制
- 基于SiC MESFET寬帶功率放大器研究.pdf
- 4H-SiC MESFET的大信號(hào)模型及微波功率合成研究.pdf
- 用于芯片間無線互連系統(tǒng)的射頻放大器設(shè)計(jì).pdf
- 4H-SiC微波功率MESFET擊穿特性的研究.pdf
- 4H-SiC MESFET結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性模擬.pdf
- 基于陷阱的4H-SiC MESFET頻散效應(yīng)研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論