2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩72頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著鐵電薄膜和微電子技術(shù)相結(jié)合而發(fā)展起來的集成鐵電學(xué)的出現(xiàn),鐵電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)、性能及其應(yīng)用已成為國際上新材料研究十分活躍領(lǐng)域,其中鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的鋯鈦酸鉛Pb(Zrx,Ti1-x)O3(PZT)鐵電薄膜由于具有優(yōu)越鐵電、介電、壓電、熱釋電以及能夠與半導(dǎo)體技術(shù)兼容等特點(diǎn),使之在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。由于基于PZT的器件具有工作帶寬廣、反應(yīng)速度快和靈敏性高等優(yōu)點(diǎn),因此PZT薄膜可以用于MEMS領(lǐng)域的各個(gè)方面,例如壓

2、電激勵(lì)器、焦熱紅外探測器、隨機(jī)存儲(chǔ)器和超聲器件。為了滿足不斷提高的微納米機(jī)械器件的要求和與硅基器件的兼容,在硅襯底上生長高質(zhì)量的PZT薄膜就變得越來越重要。 本論文首先介紹的是使用溶膠凝膠(Sol-gel)方法生長PZT薄膜,并在Si、Si3N4/Si、Ti/Si和Pt/Ti/Si四種不同襯底上旋涂生長PZT薄膜。用X射線衍射(XRD)表征生長的PZT薄膜的取向。同時(shí)研究在Pt/Ti/Si襯底上不同熱處理?xiàng)l件下對PZT薄膜的取向

3、和結(jié)晶質(zhì)量的影響。我們也分析了PZT薄膜在Ti和Pt/Ti電極上的殘余應(yīng)力。在Pt/Ti上生長的PZT薄膜有比在Ti生長的低的殘余應(yīng)力,這表明Pt/Ti上的結(jié)晶更好。而掃描電子電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)用來研究薄膜的多晶結(jié)構(gòu)和形貌。結(jié)果表明在Ti和Pt/Ti上生長的PZT薄膜取向單一,表面形貌好。PZT薄膜的AFM圖說明薄膜在退火后質(zhì)量得到提高,晶體顆粒大小增加。 然后利用廈門大學(xué)薩本棟微機(jī)電研究中心的實(shí)驗(yàn)條件,采用

4、MEMS微加工工藝,開發(fā)了可用于測試用Sol-gel法生長的PZT薄膜的鐵電特性的工藝流程,并對所制備的PZT薄膜的鐵電特性進(jìn)行測試。結(jié)果表明在3V電壓作用下Ti電極上生長的PZT薄膜在熱處理溫度為400℃,退火溫度為650℃下可以得到剩余極化強(qiáng)度(Pr)為8.6μC/cm2。而Pt/Ti電極上生長的擇優(yōu)取向?yàn)?100)的PZT薄膜在熱處理溫度為400℃,退火溫度為650℃下可以得到剩余極化強(qiáng)度(Pr)為11.0μC/cm2?;谶@些結(jié)

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論