摻雜鍺硅量子阱的電學(xué)性質(zhì)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文主要介紹了如下三個(gè)方面的內(nèi)容:1.利用導(dǎo)納譜研究了鍺硅量子阱的摻雜效應(yīng)。導(dǎo)納譜測(cè)出的不同摻雜濃度鍺硅量子阱重空穴基態(tài)能級(jí)的激活能的結(jié)果表明，對(duì)于相同組份的鍺硅量子阱，阱深隨著摻雜濃度的增加而變大，阱內(nèi)重空穴基態(tài)能級(jí)的激活能也隨之增加。2.在所加直流偏壓小于0.5伏時(shí)，所測(cè)得的重?fù)诫s量子阱內(nèi)某激發(fā)態(tài)能級(jí)的激活能隨著偏壓的增加而變小。到直流偏壓增加到0.5伏以后，激活能并沒(méi)有隨之繼續(xù)變小，而是基本保持不變。3.利用導(dǎo)納譜研究了鍺硅量子阱

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