基于AMBA總線結(jié)構(gòu)的高性能存儲接口的研究與設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在SOC(System on Chip)設(shè)計中，由于必須比普通設(shè)計使用容量更小的cache高速緩存和更為簡化的存儲體系層次，DRAM的訪問速度將成為整個SOC系統(tǒng)中不可避免的瓶頸。此外，在諸如流媒體處理器之類的SOC設(shè)計中，所處理數(shù)據(jù)的特性可能導(dǎo)致cache命中率極其低下，這也將使得DRAM訪問速度對系統(tǒng)性能的影響更甚。而在DRAM物理參數(shù)已固定的情況下，存儲接口的設(shè)計對DRAM的性能將起到?jīng)Q定性的作用，從而也就影響了系統(tǒng)的性能。

2、 本文首先回顧了近年來SOC設(shè)計中通常采用的體系結(jié)構(gòu)以及片上總線的發(fā)展趨勢，同時介紹了半導(dǎo)體存儲器的技術(shù)方向和主流產(chǎn)品，以此來闡明主存儲器訪問速度在SOC設(shè)計中的重要地位。然后根據(jù)片上總線的具體協(xié)議來分析總線傳輸特性對DRAM訪問速度可能帶來的影響，并結(jié)合DRAM存儲器的訪存特性來總結(jié)存儲控制器所能利用的優(yōu)化技術(shù)。在以上研究和分析的基礎(chǔ)上，完成存儲控制器的設(shè)計與驗證。由于AMBA總線在當(dāng)今SOC設(shè)計中的應(yīng)用最為廣泛，同時DDR SDR

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