低壓低功耗CMOS帶隙基準電壓源設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在模/數轉換器、數/模轉換器、動態(tài)存儲器、Flash存儲器等集成電路設計中，低溫度系數、低壓低功耗、高電源抑制比的基準源設計是十分關鍵的。隨著深亞微米集成電路技術的不斷發(fā)展，集成電路的電源電壓越來越低，研究基于標準CMOS工藝的低壓低功耗基準源設計是十分必要的。 由于帶隙基準源能夠實現高電源抑制比和低溫度系數，是目前各種基準電壓源電路中性能最佳的基準源電路。因此本文主要工作是設計一個低壓低功耗的CMOS帶隙基準電壓源。本文首先研

2、究了傳統帶隙基準源電路的結構，并對一階溫度補償和二階溫度補償結構原理進行了分析和比較。然后進一步研究了幾種低壓帶隙基準電壓源電路的主要工作原理。 在對各種低壓帶隙基準源分析比較的基礎上，本文采用二階溫度補償和電流反饋技術，設計實現了一種基于襯底驅動技術和電阻分壓技術的超低壓CMOS帶隙基準電壓源。采用襯底驅動超低壓運算放大器作為基準源的負反饋，使其輸出用于產生自身的電流源偏置，其電源抑制比（PSRR）為-63．8dB?；赥SM

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