質(zhì)子和電子共同輻照下GaAs-Ge太陽電池電性能退化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文通過地面模擬空間環(huán)境實驗，對應(yīng)用在航天器上的GaAs/Ge太陽電池在空間質(zhì)子和電子共同輻照作用下電性能的損傷效應(yīng)進(jìn)行了研究。
　　在模擬空間質(zhì)子與電子共同輻照的實驗中，質(zhì)子與電子的能量選為100KeV，電子最大輻照劑量達(dá)到1×1016cm-2，質(zhì)子最大輻照劑量達(dá)到1×1012cm-2。為了研究兩種粒子在共同輻照時對GaAs/Ge太陽電池不同的損傷作用，我們采用了先質(zhì)子后電子、先電子后質(zhì)子以及質(zhì)子與電子的共同輻照等三種輻照類型。

2、通過伏安特性（I-V）、光譜響應(yīng)、光學(xué)反射率、光致發(fā)光光譜（PL）、X射線雙晶衍射、紅外反射光譜、電容-電壓特性（C-V）及霍爾效應(yīng)等測試手段研究了質(zhì)子與電子順序輻照和共同輻照前后電池微觀結(jié)構(gòu)和性能的變化，得到了不同輻照類型與不同粒子劑量對GaAs/Ge太陽電池的損傷規(guī)律與導(dǎo)致性能退化的原因。
　　根據(jù)SRIM2003和CasinoV2.42軟件模擬100KeV質(zhì)子與電子對GaAs/Ge太陽電池的輻照結(jié)果，我們發(fā)現(xiàn)100KeV質(zhì)子

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