版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、Bi2S3材料是一種非常有潛力的半導體材料,在光電方面有重要的應用。基于薄膜材料在太陽能光電池方面的應用以及電沉積制備薄膜技術的優(yōu)點,本論文對電化學法沉積Bi2S3薄膜進行了系統(tǒng)的研究。
采用陰極恒電壓法在ITO導電玻璃上電沉積了Bi2S3薄膜,利用X-射線衍射儀(XRD)、X射線光電子能譜(XPS)、原子力顯微鏡(AFM)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FE-SEM)及紫外/可見/近紅外光譜儀對所制備的薄膜的結構、形貌、光學性能
2、進行了表征。研究了沉積溶液的pH值、沉積液濃度配比、沉積時間、沉積電壓、沉積溫度等工藝因素對制備薄膜的影響;采用微波水熱法電沉積法制備薄膜進行了后處理;采用電沉積法制備了Sn摻雜Bi2S3薄膜。
結果表明:在電沉積溶液pH=4.5,沉積時間為20min,沉積電壓為1.5V,在Bi(NO3)3,Na2S2O3和Na3C6H5O7濃度比為1:7:1,加入檸檬酸三鈉作絡合劑的情況下,可以得到沿(240)晶面生長均勻致密的Bi2S
3、3納米薄膜。沉積溶液的pH值在4.0~6.5的范圍內可制得沿(240)晶面取向生長的Bi2S3薄膜;在此pH值范圍內,隨著沉積溶液pH值的升高,Bi2S3薄膜表面衍射峰逐漸增強,結晶程度變好,晶粒細化,紅外透過比提高。電沉積制備Bi2S3薄膜的過程中需要確定合適的各組分濃度配比,隨著沉積溶液配比中Na2S2O3濃度的提高,Bi2S3薄膜的結晶性能提高,發(fā)光性能增強;在濃度配比為:1:5:1,1:7:1,1:9:1時制得的Bi2S3薄膜均
4、在紫外光的激發(fā)下均具有藍綠發(fā)光性能。隨著沉積時間的延長,Bi2S3薄膜結晶性能先增強后減弱,薄膜表面晶粒尺寸增大,合適的沉積時間是20min。隨著沉積溶液溫度的增加,Bi2S3薄膜的各晶面衍射峰逐漸增強,結晶程度逐漸提高,合適的沉積溫度是40℃。在電沉積法中,其生長模式是基于電場力對離子的作用而誘導產生的垂直于基板方向的層狀生長。
采用微波水熱輔助電沉積法可以高效的提高Bi2S3薄膜的質量。在微波水熱130℃反應10min
5、時制備了具有納米棒結構的Bi2S3薄膜。隨著微波水熱溫度的提高,所制備Bi2S3薄膜的結晶性能先增強后降低,合適的溫度是130℃。隨著微波水熱時間的提高,薄膜的結晶性能先提高后降低,合適的微波水熱處理時間是30min。所制得的薄膜具有較強的吸收紫外光的能力;與電沉積法制得薄膜相比,采用微波水熱輔助電沉積法制得Bi2S3薄膜的禁帶寬度由1.44 eV增加到1.84 eV。
采用電沉積法制備了Sn摻雜Bi2S3納米薄膜。隨著摻
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 電化學沉積法制備ZnS光學薄膜研究.pdf
- 電化學沉積法制備SmS全息記錄光學薄膜.pdf
- 電化學沉積PbS光學薄膜的制備及性能研究.pdf
- 電化學沉積法制備薄膜Bi2Te3基熱電材料.pdf
- 電化學原子層外延制備Bi-,2-Te-,3-納米熱電薄膜的研究.pdf
- 納米晶Bi-,2-Te-,3-熱電薄膜材料的電化學制備、結構及性能研究.pdf
- 電化學沉積法制備ZnO薄膜的研究.pdf
- VAPE法制備Bi-,2-Te-,3-系納米熱電薄膜的研究.pdf
- 電化學沉積法制備CdTe半導體薄膜及其性能研究.pdf
- Bi-,2-Se-,3-基熱電化合物的化學法制備及熱電性能研究.pdf
- 電弧等離子體法制備Bi-,2-Te-,3-系熱電材料及瞬間蒸發(fā)法制備Bi薄膜的研究.pdf
- 微波濕化學方法制備納米Bi-,2-Te-,3--Bi-,2-Se-,3-系熱電材料.pdf
- 電化學法制備FePt薄膜.pdf
- PAMAM-Bi-,2-S-,3-復合納米粒子的制備研究.pdf
- Bi-,2-x-Te-,3+x-及Bi-,2-Te-,3-x-Se-,x-薄膜與微區(qū)薄膜材料的電化學制備及添加劑作用研究.pdf
- Bi-,2-Te-,3-基溫差電材料薄膜和一維納米線的電化學制備、表征及形成機理研究.pdf
- Bi-,2-Te-,3-和Bi-,2-Se-,3-納米粉末的化學合成.pdf
- 電化學沉積法制備MgB-,2-的研究.pdf
- 電化學沉積制備α-Fe2O3薄膜、表面修飾及光電化學性質研究.pdf
- 超細Bi-,2-O-,3-的制備.pdf
評論
0/150
提交評論