Cu-Ni多層納米線(xiàn)的制備及磁性能研究.pdf

1、巨磁電阻材料在基礎(chǔ)研究和應(yīng)用領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，已成為當(dāng)前學(xué)術(shù)界研究的熱點(diǎn)之一。這種通過(guò)鐵磁性金屬和非鐵磁性金屬交替沉積的多層納米線(xiàn)陣列，每個(gè)鐵磁層都可看作是一個(gè)單磁疇鐵磁性納米粒子，因此該結(jié)構(gòu)不但高度有序，且還保持了鐵磁性納米粒子的高矯頑力特性。 本文通過(guò)二次鋁陽(yáng)極氧化法制得氧化鋁(AAO)模板，通過(guò)改變陽(yáng)極氧化電壓可對(duì)AAO模板孔徑進(jìn)行調(diào)控。在AAO模板中成功制備出Cu、Ni單金屬納米線(xiàn)的基礎(chǔ)上，采用雙槽直流電沉積工藝在

2、AAO模板內(nèi)制得高度有序的Cu/Ni多層納米線(xiàn)陣列，利用掃描電鏡(SEM)和透射電鏡(TEM)對(duì)Cu/Ni多層納米線(xiàn)進(jìn)行了表征，通過(guò)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)測(cè)試了多層納米線(xiàn)的磁性能，并采用四探針?lè)▽?duì)Cu/Ni多層納米線(xiàn)陣列的巨磁電阻性能進(jìn)行了初步研究。 SEM測(cè)試結(jié)果表明，Cu/Ni多層納米線(xiàn)表面平滑、均一，直徑與AAO模板孔徑基本一致。由選區(qū)電子衍射(SAED)照片可知，多層納米線(xiàn)中Cu層和Ni層均為單晶結(jié)構(gòu)。TEM下可觀察到

3、Cu/Ni多層納米線(xiàn)的層狀結(jié)構(gòu)清晰，而且通過(guò)控制沉積電量可以對(duì)各子層厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)，得到不同調(diào)制波長(zhǎng)和不同子層厚度的多層納米線(xiàn)。磁滯回線(xiàn)測(cè)試結(jié)果表明，Cu/Ni多層納米線(xiàn)陣列具有明顯的垂直磁各向異性，外加磁場(chǎng)垂直于AAO模板表面時(shí)，磁滯回線(xiàn)的矩形比Sr(Mr/Ms)(0.2951、0.5167、0.7435、0.6661)遠(yuǎn)大于磁場(chǎng)平行于模板表面時(shí)的矩形比(0.06824、0.04735、0.01965、0.09133)。 論文還