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1、本文工作主要圍繞有機(jī)電致發(fā)光器件展開,主要分為兩方面:1)設(shè)計(jì)并優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),提高器件性能;2)利用現(xiàn)有理論結(jié)合實(shí)驗(yàn),分析為什么被廣泛使用的LiF/Al作為電極,能大幅度提升器件的性能。具體包括對(duì)以下4個(gè)問題的研究: 1.混合陽(yáng)極在OLED中的應(yīng)用。提出并制備了新型的混合陽(yáng)極:ITO/Ag/ITO,使得陽(yáng)極的表面電阻率由原來的60Ω/□降低到了2Ω/□,器件的性能得到顯著提升:相比于傳統(tǒng)的OLED器件,電流從開始時(shí)6V的2.5倍
2、到12V的4.5倍,啟亮電壓也明顯有所降低。金屬Ag的加入,有以下幾個(gè)作用:①使得空穴注入量減少,增加電子-空穴的平衡度;②Ag的加入在一定程度上降低了陽(yáng)極上的電壓降,從而提高了在陰極附近(包括電子傳輸層)的電壓降,因此電子的注入會(huì)有一定的增加,達(dá)到發(fā)光層的電子增多。與傳統(tǒng)的器件相比,相同電壓下形成的電子.空穴對(duì)增加,從而使得器件亮度得以提高。 2.混合電子傳輸層的研究。為了解決在有機(jī)材料中電子低遷移率的問題,文中提出了使用Al
3、-Alq3(~1:1)(molecule/atom)作為電子傳輸層。這層共沉積的Al-Alq3在器件中有兩個(gè)作用。①Al-Alq3這種緩沖層的存在降低了電子的注入勢(shì)壘,而且電子在此種材料中的遷移率比單獨(dú)的Alq3電子傳輸層中的電子遷移率要大,因此注入和傳輸?shù)桨l(fā)光區(qū)域的電子增加,很好的維持了電子-空穴的平衡,而復(fù)合形成激子數(shù)量的增加是必然的結(jié)果。②Al-Alq3這種緩沖層的存在降低了器件中的淬滅現(xiàn)象,因?yàn)槭褂肁lq3作為發(fā)光層和電子傳輸層
4、的器件中,會(huì)有大量的未經(jīng)復(fù)合的空穴穿過Alq3而直接到達(dá)陰極,造成器件發(fā)熱,從而效率降低;而有了Al-Alq3這種緩沖層,可以增加發(fā)光層和陰極的距離,降低了淬滅現(xiàn)象的發(fā)生。另外文中還提出并制備了多層的電子傳輸層Al(110nm)/Alq3(65nm),通過實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的比較,使用了Al/Alq3多層電子傳輸層的器件具有很明顯的性能和效率的改善。 3.OLED中材料的介電常數(shù)對(duì)器件性能的影響。文中制備了分別使用LiF、NaCl、NaF
5、作為各自的電子注入層的器件,在電流密度100mA/cm2下,器件的亮度分別為2000cd/m2,1500cd/m2和1200cd/m2,而介電常數(shù)在300K以下分別為9.036、5.895、5.072,因此我們得出結(jié)論:介電常數(shù)越高,驅(qū)動(dòng)電壓也就越小,亮度越高,也就意味著電子更容易注入到器件中。文中的解釋:在相同的厚度和相同的面積下,介電常數(shù)越高,介質(zhì)的電阻就會(huì)越高。根據(jù)歐姆定律,在相同電流下,在介質(zhì)上的電壓降就會(huì)越高,內(nèi)部電場(chǎng)也會(huì)越高
6、。同時(shí),相同電壓下,自然的分配在空穴注入層和空穴傳輸層上的電壓降就會(huì)降低。這樣就導(dǎo)致了注入和傳輸?shù)桨l(fā)光層的電子的數(shù)量增加,而注入和傳輸?shù)桨l(fā)光層的空穴就會(huì)降低,空穴-電子可以更高效率地復(fù)合,器件表現(xiàn)出更高的效率和性能。 4.C-V法在OLED中的應(yīng)用。通過在OLED中運(yùn)用C-V法,本人得到以下結(jié)論:LiF在加入電場(chǎng)之后的變化,被分解成Li+離子和F離子,并且Li+離子摻雜在靠近陰極附近,形成電子的良導(dǎo)體,空穴的絕緣體。或者說具有良
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