稀土氧化摻雜對(duì)三氧化鎢陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性影響的研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩55頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、論文總結(jié)了壓敏電阻材料研究與發(fā)展現(xiàn)狀,著重強(qiáng)調(diào)了低壓壓敏電阻材料研究和開發(fā)的重要意義。通過對(duì)比傳統(tǒng)低壓電阻材料,闡明了三氧化鎢(WO3)陶瓷作為低壓壓敏材料的優(yōu)勢(shì),分析了WO3壓敏陶瓷研究和開發(fā)所存在的主要問題。文章以未摻雜燒結(jié)的WO3陶瓷為研究對(duì)象,分析了陶瓷壓敏行為的物理機(jī)理,研究了過渡金屬氧化物十一氧六鐠(Pr6O11)和三氧化二鉍(Bi2O3)摻雜對(duì)WO3陶瓷微觀結(jié)構(gòu)特征,燒結(jié)特性和電學(xué)行為的影響。
   通過研究未摻雜

2、的WO3陶瓷樣品微觀結(jié)構(gòu)及形貌特征和電學(xué)行為特性,表明,WO3陶瓷的壓敏特性與傳統(tǒng)的氧化鋅(Zno)和二氧化錫(SnO2)系壓敏陶瓷有明顯的不同,可能歸結(jié)于不同的壓敏行為機(jī)理;研究也顯示,WO3陶瓷的壓敏行為對(duì)不同的氣氛非常的敏感。俄歇電子能譜(AES)分析表明,WO3陶瓷在冷卻過程中晶粒表面吸附的氧組成了界面態(tài),進(jìn)一步在晶界形成勢(shì)壘可能是WO3陶瓷壓敏行為的起源。
   通過大離子半徑和低熔點(diǎn)的過渡金屬氧化物Pr6O11和Bi

3、2O3摻雜,課題首次在常規(guī)燒結(jié)條件下制備出了高致密度的WO3陶瓷樣品。對(duì)WO3陶瓷燒結(jié)行為的研究結(jié)果表明,由于WO3熔點(diǎn)低在燒結(jié)過程中易產(chǎn)生分壓,從而阻止陶瓷的致密化,所以燒結(jié)性能差無法獲得致密的陶瓷樣品。而通過引入摻雜元素Pr和Bi后,由于離子半徑較大熔點(diǎn)較低在晶界形成液相,促進(jìn)了燒結(jié)過程中物質(zhì)傳輸作用從而起到了助燒結(jié)劑的作用。熱機(jī)械分析(TMA)分析顯示,液相燒結(jié)和固相反應(yīng)作用是陶瓷致密化的主要機(jī)理。因此液相燒結(jié)是提高WO3致密性能

4、一個(gè)有效手段。在高致密度的WO3陶瓷的基礎(chǔ)上,論文首次研究了致密化的WO3陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)行為特性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Pr6O11和Bi2O3摻雜使陶瓷結(jié)構(gòu)由疏松多孔結(jié)構(gòu)變成致密化的結(jié)構(gòu),且摻雜明顯地促進(jìn)了陶瓷晶粒的生長,更高濃度的摻雜使陶瓷的相結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。
   對(duì)陶瓷電學(xué)行為的研究表明,雖然Pr6O11和Bi2O3摻雜在很大程度上提高了陶瓷的致密性,但不能改善陶瓷的壓敏性能。Pr6O11摻雜甚至使陶瓷的壓敏特性隨陶瓷致密

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論