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文檔簡介
1、由于釩是一種過渡金屬元素,可與氧結(jié)合形成多種價態(tài)的氧化物,并且在光電轉(zhuǎn)換、熱敏特性方面表現(xiàn)出了優(yōu)異并且獨特的性質(zhì),因此氧化釩薄膜成為國內(nèi)外的研究重點。目前對氧化釩的研究重點主要集中在器件方面,如光輻射防護(hù)薄膜、光學(xué)數(shù)據(jù)存儲、太陽能電池及軍用激等應(yīng)用。
本論文在低溫下以高純金屬釩作靶材,用直流/射頻磁控濺射的方法在載玻片與硅片上制備出了氧化釩薄膜。通過設(shè)計正交試驗表,系統(tǒng)分析了氬氣和氧氣的流量比,濺射功率,工作壓強(qiáng),基底溫度
2、對氧化釩薄膜的TCR、沉積速率的影響,得到這四個因素對TCR值和沉積速率影響的趨勢。通過對正交實驗結(jié)果的分析,獲得最佳工藝參數(shù),即氬氧流量比100:4,濺射功率120W,工作氣壓2Pa,基底溫度300℃。制備具有較高TCR值的氧化釩薄膜。文中采用X射線光電子能譜儀測試了氧化釩薄膜的組分,并用X射線光電子譜中釩的特征峰V2P3/2的峰位移來判定薄膜中相組成的具體情況。
為了提高所制備氧化釩薄膜的TCR值,實驗采用RTP-50
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