納米硅薄膜太陽(yáng)電池本征層的制備及性能研究.pdf

1、隨著第三代新型納米薄膜太陽(yáng)電池的問(wèn)世，具有優(yōu)良光電特性的納米硅薄膜成為當(dāng)前光伏電池技術(shù)研究開(kāi)發(fā)的熱點(diǎn)。納米硅薄膜材料不僅光敏性好，光暗電導(dǎo)比高，而且跟非晶硅相比，其光電導(dǎo)在長(zhǎng)時(shí)間光照下的衰減要小得多。更為重要的是由于薄膜中納米晶粒的量子尺寸效應(yīng)，使得我們能夠通過(guò)改變工藝參數(shù)調(diào)節(jié)晶粒大小和晶化度來(lái)控制其光學(xué)帶隙，從而實(shí)現(xiàn)薄膜漸變帶隙的能帶工程設(shè)計(jì)。
　　 本論文主要采用射頻磁控濺射的方法研究了納米硅薄膜的制備工藝，在玻璃和單晶硅襯

2、底上分別制備出高質(zhì)量的納米硅薄膜，并且對(duì)納米硅薄膜的量子特性，光電特性以及電導(dǎo)機(jī)制進(jìn)行了一定的理論分析。同時(shí)，利用X射線衍射分析（XRD）、掃描電子顯微技術(shù)（SEM）、傅立葉紅外吸收光譜、紫外吸收光譜等現(xiàn)代微觀分析手段測(cè)試分析了樣品的微觀結(jié)構(gòu)形貌、納米晶粒尺寸大小、硅氫鍵合情況以及薄膜的光學(xué)帶隙，并從中總結(jié)出各種工藝參數(shù)（襯底溫度，氣體壓強(qiáng)，H2比例等）對(duì)薄膜各項(xiàng)性能的影響，從而摸索出一套比較理想的射頻磁控濺射制備納米硅薄膜的工藝條件，