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1、為應(yīng)對(duì)3G移動(dòng)通訊設(shè)備的小型化、高頻化的發(fā)展趨勢(shì),具有超低輪廓的高密度互連印制電路板用電解銅箔成為高性能銅箔的亮點(diǎn)之一。本論文研究了直流電沉積方法,開展了對(duì)高密度互連印制電路板用超低輪廓電解銅箔的研究工作,以解決電解銅箔性能中超低輪廓和高抗剝離強(qiáng)度這對(duì)主要矛盾。
根據(jù)電解原理和直流電沉積法研究了CuSO4-H2SO4基礎(chǔ)液溶度、溫度T、極距D、電流密度J對(duì)原箔表面粗糙度Rz、抗剝離強(qiáng)度PS、外貌、電沉積效率η的影響。結(jié)果表
2、明最佳工藝:C(Cu2+):100±5g/L、C(H2SO4):120±5g/L、溫度T:52±1 ℃、極距D:12 dm、電流密度J:4 A/dm2、電沉積時(shí)間t:20min。此時(shí)毛面粗糙度Rz=7.0±1.0 um、原箔厚度為13.6±1.4 um、電沉積效率η達(dá)到90%以上,但表面并不平整且有針孔。
通過加入明膠(Gelatin)、羥乙基纖維素(HEC)、聚二硫二丙烷磺酸鈉(SPS)、聚乙二醇(PEG)添加劑并運(yùn)用均
3、勻?qū)嶒?yàn)的方法得到了輪廓低且抗剝離強(qiáng)度較高的原箔。結(jié)果表明,添加劑的兩個(gè)最佳比例分別為:當(dāng)Gelatin:1.2 g/L、HEC:2.8 g/L、SPS:6 mg/L、PEG:0.42 ml/L時(shí),毛面粗糙度Rz=3.44±0.15um、抗剝離強(qiáng)度PS=0.259 N/mm、厚度為27.7±0.5um,此時(shí)原箔樣品表面平整且針孔消失;當(dāng) Gelatin:2.6 g/L、HEC:0.2 g/L、SPS:5mg/L、PEG:0.27 ml/L
4、時(shí),毛面粗糙度Rz=2.58±0.10 um、抗剝離強(qiáng)度PS=0.238 N/mm,厚度為27.7±0.5um,此時(shí)原箔樣品表面平整且針孔消失。
研究了12um原箔試樣在低粗化后處理工藝(粗化、固化、黑化)過程中,電流密度J和時(shí)間t、CuSO4-H2SO4基礎(chǔ)液溶度和溫度T對(duì)后處理箔表面粗糙度Rz、抗剝離強(qiáng)度PS和脫粉性能的影響。結(jié)果表明,通過低粗化工藝處理。毛面粗糙度Rz=4.5±0.2 um、抗剝離強(qiáng)度PS=0.938
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