PMMA基底CdSe量子點(diǎn)光纖材料的制備及表征.pdf

1、納米材料是納米科技發(fā)展的基礎(chǔ),由于具有的特殊光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)性能,納米材料拓寬了傳統(tǒng)材料、器件的發(fā)展空間。近來,隨著網(wǎng)絡(luò)用戶得急劇增長,對(duì)光通信器件、網(wǎng)絡(luò)性能,特別是對(duì)光纖放大器性能的提升提出了更高的要求。傳統(tǒng)的摻鉺光纖放大器中摻雜材料性能的突破出現(xiàn)了技術(shù)瓶頸,需要一種全新的摻雜材料來替換鉺離子,因此,科研人員提出了一種全新的光纖放大器-量子點(diǎn)光纖放大器(QDFA)。PbSe納米晶在制備量子點(diǎn)光纖放大器方面,有著十分重要的潛在應(yīng)用價(jià)值。

2、本文分別在油相和水相體系中制備了尺寸大小為16～36nm PbSe納米晶,并對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。此外,塑料光纖在成本、光纖到戶、短距離通信等方面與石英光纖相比具有優(yōu)越性,在塑料光纖基底中摻入某些光放大介質(zhì)(如量子點(diǎn)),可以制備出塑料光纖放大器。但是,目前對(duì)于量子點(diǎn)摻雜的塑料光纖材料的光學(xué)性能的研究還很少。本文報(bào)導(dǎo)了以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)為基底的CdSe量子點(diǎn)光纖材料CdSe/PMMA。紫外-可見-近紅外吸收譜以及熒光輻射譜測