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文檔簡介
1、隨著數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)在移動(dòng)通訊、數(shù)據(jù)終端、多媒體、及消費(fèi)類電子等領(lǐng)域得廣泛應(yīng)用，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器成為SOC中一個(gè)重要的角色，并在行業(yè)中已經(jīng)占據(jù)了不可替代的地位。然而，隨著工藝技術(shù)的不斷提高，及人們對產(chǎn)品性能的要求越來越高，傳統(tǒng)浮柵存儲(chǔ)器受到多方面的限制不能滿足人們的需求，研發(fā)下一代快閃存儲(chǔ)器——電荷俘獲型存儲(chǔ)器(Charge Trapping Memory, CTM)成為一種必然的趨勢。由于CTM技術(shù)在我國還處于發(fā)展初期，對于電荷俘獲技術(shù)的
2、研究和嵌入式系統(tǒng)的開發(fā)具有很高的科學(xué)和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。
論文根據(jù)電荷俘獲型存儲(chǔ)單元的操作特性及Numonyx_65nm_3V_2Gbit的數(shù)據(jù)表，來設(shè)計(jì)容量為1Gbits的NOR型的存儲(chǔ)器的系統(tǒng)架構(gòu)。重點(diǎn)是設(shè)計(jì)適合1Gbits CTM存儲(chǔ)器的高性能的讀取通道，并對靈敏放大器，電荷泵系統(tǒng)的產(chǎn)生和管理，電平切換開關(guān)及帶隙基準(zhǔn)等相關(guān)電路進(jìn)行設(shè)計(jì)。最后，論文根據(jù)SMIC的65nm下的工藝對CTM存儲(chǔ)陣列和外圍電路進(jìn)行版圖的設(shè)計(jì)，并提出在
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