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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文等離子體損傷測(cè)試方法研究姓名:徐政申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):軟件工程(IC)指導(dǎo)教師:李冰孫鋒20090413AbstractAbstractAninnovativetestmethodhasbeendevelopedforeValuatingplasmadamages,itsolvedtheproblemthatnormalprocesscontrolmonitorstructure(PCM)callnotbeuse
2、dtomonitorplasmaprocessinduceddamage(P2ID)Whencurrentflowsthroughtheoxide,defectsandtrapswouldbeproducedintheoxideThiswouldleadteductionofthetunnelcurrentSo,plasmadamagesCallbeeValuatedbytestingthetunnelcurrentTestresult
3、sareexpressedinabubblemap,wherethetunnelcurrentindicatedbythebubbleareaAndbiggerareameanshighertunnelcurrentandlowerplasmadamagesTeststructureismadeupofMOScapacitorwithantennaAntennaareaare10’um2and104um2,oxidethicknessi
4、ncapacitoris9nm,topplateofcapacitorismadeupofheavilyNdopedpolysiliconanddownplateismadeupofheavilyNdopedsinglesiliconTestcondition:downplatevoltageis0,topplatevoltageis12VrecordthetopplatecurrentTestresultsshowsthattunne
5、lcurrentcanbefoundreducedinallplasmaprocesswhenantennaratiomorethan103MoredamageisfoundincentreofwaferandthesamemapisfoundinproductwaferReasonofplasmadamageinproductwaferisprovedbymetaletchthroughfurtheranalysisTeststruc
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