芯片剝離過程分析及其機構(gòu)實現(xiàn).pdf

1、射頻識別（radio frequency identification）標(biāo)簽Inlay 封裝設(shè)備由基板輸送模塊（包括進料和收料）、點膠模塊、貼裝模塊、熱壓模塊和檢測模塊組成。其中，貼裝模塊的頂針剝離裝置實現(xiàn)了芯片從晶圓（Wafer）盤上的剝離。頂針和Wafer 盤之間接觸力的大小以及接觸力作用下芯片的受力變形，直接決定了在剝離過程中芯片是否會發(fā)生碎裂，對芯片能否成功剝離至關(guān)重要。因此，本文對芯片剝離過程以及剝離過程中可能導(dǎo)致芯片碎裂的主

2、要影響因素展開研究。主要包括：在對芯片剝離方式進行分類的基礎(chǔ)上，介紹了芯片剝離的過程，采用有限元法對剝離過程中芯片碎裂的主要影響因素進行了分析，以此來指導(dǎo)頂針剝離裝置的設(shè)計并且成功地實現(xiàn)了芯片的剝離。主要內(nèi)容從下面三個方面展開論述：
　　 首先，采用四種不同標(biāo)準對目前機構(gòu)中出現(xiàn)的芯片剝離方式進行分類，討論了每種方式的適用范圍；分兩個階段討論了芯片剝離的過程，指出每個階段中最可能發(fā)生芯片碎裂的時刻；總結(jié)了剝離過程中芯片碎裂的影響因

3、素，并且確定了本文中將要重點研究的和機構(gòu)設(shè)計相關(guān)的兩個主要因素。
　　 其次，采用有限元法分析了不同頂針?biāo)俣群臀矫娣e情況下芯片的受力和變形，得出了芯片最大等效應(yīng)力隨著它們的變化趨勢，從而明確這兩個主要因素對芯片碎裂的影響方式。為了獲取有限元仿真需要的材料屬性、邊界條件等，開展了三個準備試驗：膜的拉伸試驗、剝離力測量試驗、芯片完全剝離試驗。在此基礎(chǔ)上，提出了一種仿真結(jié)合試驗驗證的方法來獲取頂針剝離裝置的臨界速度值，相對于單純開展