面向片上存儲(chǔ)應(yīng)用的高性能抗輻射糾錯(cuò)碼編碼機(jī)制的研究與實(shí)現(xiàn).pdf

1、在一個(gè)典型的片上系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器上發(fā)生錯(cuò)誤的幾率最高，提高片內(nèi)存儲(chǔ)器的可靠性是提高片上系統(tǒng)可靠性的一個(gè)關(guān)注焦點(diǎn)。 輻射效應(yīng)是引起片內(nèi)存儲(chǔ)器發(fā)生錯(cuò)誤的主要原因，隨著存儲(chǔ)單元間隔的逐步減小，由SEU(Single Event Upset) 引起的SEMU(Single Event Multiple Upset)特別是SMU(Single Word Multiple-bit Upsets)對(duì)存儲(chǔ)器的可靠性進(jìn)而對(duì)整個(gè)片內(nèi)系統(tǒng)的可靠性的影響

2、越來(lái)越大。糾錯(cuò)碼技術(shù)是對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行抗輻射保護(hù)的有效方法，而現(xiàn)有的糾錯(cuò)碼不能糾正SMU，本課題的目標(biāo)是尋求一種高性能的糾錯(cuò)機(jī)制來(lái)解決這一問(wèn)題。 本課題中實(shí)現(xiàn)的符號(hào)糾錯(cuò)碼是針對(duì)片內(nèi)存儲(chǔ)器中SMU的糾錯(cuò)算法。它將伽羅華域的運(yùn)算與正常的數(shù)學(xué)運(yùn)算結(jié)合起來(lái)，可以糾正1個(gè)符號(hào)（4個(gè)比特）或檢測(cè)2個(gè)符號(hào)（8個(gè)比特）的錯(cuò)誤。與現(xiàn)有的ECC技術(shù)相比，它的糾錯(cuò)能力有了非常顯著的提高；另一方面，它的編解碼運(yùn)算沒(méi)有在關(guān)鍵路徑上引起較多的延遲，因此符號(hào)糾錯(cuò)