立方氮化鋁納米晶的溶劑熱合成及其性質(zhì)研究.pdf

1、氮化鋁納米材料由于具有高熱導(dǎo)率、高熔點(diǎn)、低熱膨脹系數(shù)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性和壓電性能等特性,在很多方面、特別是電子工業(yè)方面有著廣泛的應(yīng)用.而且由于它具有很寬的帶隙(6.2eV),且易與重要的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC和GaN形成禁帶寬度可調(diào)的合金以實(shí)現(xiàn)全色顯示,在此基礎(chǔ)上的GaN/Ga<,x>Al<,1-x>N異質(zhì)結(jié)具有更優(yōu)異的性能,因此越來越受到研究者和產(chǎn)業(yè)界的重視.而立方相AlN納米晶由于具有更高的晶格對(duì)稱性,比六方相AlN具有更低的聲子散

2、射和更高的熱導(dǎo)率及聲波速率等低異性能,更適宜于電子器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用,其發(fā)展?jié)摿Ω?針對(duì)現(xiàn)有的制備方法所得產(chǎn)物多為六方相或六方和立方混合相的問題,我們首創(chuàng)了低溫低壓溶劑熱漢合成立方相氮化鋁納米晶的新方法,并進(jìn)一步研究了立方相AlN納米晶的吸收、紅外、光致發(fā)光等光學(xué)性質(zhì),為以后的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ).此外,該文還首次研究了立方相AlN納米晶的有機(jī)催化性能,并將其分別作為核材料和殼材料,制備出了AlN/GaN和GaP/AlN核殼型半導(dǎo)體納米

3、異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料,取得了較好的實(shí)驗(yàn)結(jié)果.對(duì)立方相AlN納米晶進(jìn)行了光學(xué)性質(zhì)的研究,在其光致發(fā)光譜的360nm和406nm處得到了兩個(gè)可能是由AlN納米晶樣品中的缺陷和雜質(zhì)引起的發(fā)光峰.通過對(duì)反應(yīng)過程的中間產(chǎn)物、主副產(chǎn)物及反應(yīng)母液的分析,我們對(duì)溶劑熱法制備AlN納米微粒的反應(yīng)機(jī)理進(jìn)行了初步探討.核殼型納米半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的研究也是目前材料學(xué)研究的熱點(diǎn),但Ⅲ-Ⅴ族納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的研究目前還資料較少.通過兩步合成法,我們對(duì)GaP/AlN和 A