可燃性氣體傳感器的制備及氣敏特性研究.pdf

1、本文介紹了半導體氣敏元件在國內(nèi)外的發(fā)展狀況，綜述了金屬氧化物半導體氣敏元件的摻雜技術(shù)。列舉了半導體氣敏元件的摻雜以及摻雜對氣敏元件靈敏度和選擇性的影響作用。SnO2基薄膜是目前研究最廣泛的一種氣敏材料，通過不同物質(zhì)的摻雜，優(yōu)化氣敏特性，使其滿足實際的應(yīng)用是一個發(fā)展的重點。 本文利用直流磁控反應(yīng)濺射法分別制備了摻雜TiO2的SnO2薄膜及摻雜Pt的SnO2薄膜，并研究了不同工藝參數(shù)（例如濺射電壓，濺射電流，濺射時間，退火溫度等）對

2、薄膜質(zhì)量以及氣敏特性的影響。通過XRD等手段研究了各薄膜的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，并探討了薄膜結(jié)構(gòu)和性質(zhì)對其氣敏特性的影響，分析了摻雜Pt的SnO2薄膜對NH3氣體的敏感機理。實驗結(jié)果表明，摻雜TiO2的SnO2薄膜對丙酮有表現(xiàn)出很好的靈敏性，在較高的工作溫度下選擇性也很好。摻雜Pt的SnO2薄膜對氨氣有很好的響應(yīng)，在700℃的溫度下退火的樣品對氨氣的靈敏度最高，選擇性好，反應(yīng)時間的恢復(fù)時間也都比較理想。 本文介紹了幾種常見的氣敏元件結(jié)構(gòu)，