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文檔簡介
1、本論文采用X射線衍射(XRD)分析、掃描電子顯微鏡(SEM)分析、原子吸收光譜(AAS)分析、紅外光譜(FToIR)分析、原子力顯微鏡(AFM)分析,以及對工作溫度.電阻、摻雜濃度-電阻、靈敏度等的測試,研究了化學共沉淀法和溶膠.凝膠法制備的SnO<,2>材料的相結構、晶粒尺寸和氣敏性能;考察了SnO<,2>氣體傳感器的組分和加工工藝對氣敏性能的影響。 采用化學共沉淀法,制備SnO<,2>納米粒子。XRD和SEM測試結果表明:煅
2、燒溫度和煅燒時間對晶體結構和晶粒尺寸有顯著影響:最終粉體呈球形,粒徑大約為60nm。以Ni<'2+>為摻雜離子,以AAS為手段,研究pH對摻雜離子利用率的影響。結果表明,隨著pH值的增大,Ni<'2+>的利用率逐漸提高,在pH=8時出現(xiàn)極大值,之后有微弱降低。 采用溶膠.凝膠法,以白云母和Al<,2>O<,3>陶瓷為基片,制備純凈及摻雜(Cu<'2+>、Ni<'2+>、Pd<'2+>)的SnO<,2>納米薄膜。XRD分析表明:摻
3、雜后樣品仍為金紅石型結構,通過對晶胞參數及晶粒度的計算,可知隨著摻雜量的增多,晶胞體積及晶粒度呈減小的趨勢。利用AFM可以觀測到薄膜表面較為平整,構成薄膜的粒子呈球形,尺度均勻,顆粒間有空隙,這種疏松的表面特征有利于提高納米粒子表面對氣體分子的吸附,進而改善元件的氣敏性能。 對SnO<,2>氣敏元件基體的摻雜量.電阻、工作溫度-電阻、靈敏度等的研究表明,摻雜量越大,SnO<,2>薄膜的電阻越大,隨著工作溫度的升高,不論是純凈的還
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