版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、MOS場效應(yīng)管自上世紀(jì)60年代被研制成功后,因其具有集成度高、功耗低的優(yōu)點(diǎn),且截止頻率不斷提高,現(xiàn)在已被廣泛應(yīng)用于單片射頻集成電路中。其小信號(hào)噪聲等效電路模型表征了器件的高頻噪聲特性,利用該模型不僅可以指導(dǎo)電路設(shè)計(jì)者將電路設(shè)計(jì)的更加合理,而且可以指導(dǎo)芯片制造者做出更高性能的器件,因此MOS場效應(yīng)管噪聲建模以及模型參數(shù)提取技術(shù)已經(jīng)成為近幾年國內(nèi)外的研究熱點(diǎn)。 對(duì)0.13μm MOSFET噪聲建模和參數(shù)提取技術(shù)進(jìn)行了研究,首先,使用
2、開路短路法剝離掉焊盤和外圍連接導(dǎo)線的影響從而得到本征器件的散射參數(shù)。然后通過半優(yōu)化法得到模型的小信號(hào)參數(shù)并驗(yàn)證。在精確地提取了小信號(hào)模型參數(shù)之后,利用噪聲相關(guān)矩陣技術(shù)從測量的散射參數(shù)和射頻噪聲參數(shù)直接提取了柵極感應(yīng)噪聲電流i2g,溝道噪聲電流i2d和它們的相關(guān)系數(shù),并用PRC模型中的參數(shù)來表示。將參數(shù)提取結(jié)果帶入ADS中進(jìn)行仿真,在2~8 GHz頻段上仿真結(jié)果與測量數(shù)據(jù)吻合良好。 利用TSMC0.18μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn)了5.
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- CMOS電流模式射頻低噪聲放大器.pdf
- CMOS射頻低噪聲放大器分析與設(shè)計(jì).pdf
- 基于CMOS工藝的射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- CMOS射頻前端低噪聲放大器研究與設(shè)計(jì).pdf
- CMOS射頻低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- CMOS射頻前端中低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- 射頻CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)及其功耗優(yōu)化.pdf
- 射頻超寬帶CMOS低噪聲放大器的研究.pdf
- CMOS射頻器件建模及低噪聲放大器的設(shè)計(jì)研究.pdf
- RF CMOS低噪聲放大器研究.pdf
- CMOS低噪聲放大器研究與設(shè)計(jì).pdf
- CMOS超寬帶低噪聲放大器.pdf
- 一種CMOS射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- 超寬帶CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf
- 射頻元件模型分析與低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf
- 差分CMOS低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf
- CMOS毫米波低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf
- 基于CMOS工藝的超寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf
- SOI CMOS低噪聲放大器的研究與設(shè)計(jì).pdf
- CMOS低噪聲放大器的IC設(shè)計(jì)與研究.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論