射頻MOSFET噪聲模型研究及CMOS工藝低噪聲放大器設(shè)計(jì).pdf

1、MOS場效應(yīng)管自上世紀(jì)60年代被研制成功后，因其具有集成度高、功耗低的優(yōu)點(diǎn)，且截止頻率不斷提高，現(xiàn)在已被廣泛應(yīng)用于單片射頻集成電路中。其小信號(hào)噪聲等效電路模型表征了器件的高頻噪聲特性，利用該模型不僅可以指導(dǎo)電路設(shè)計(jì)者將電路設(shè)計(jì)的更加合理，而且可以指導(dǎo)芯片制造者做出更高性能的器件，因此MOS場效應(yīng)管噪聲建模以及模型參數(shù)提取技術(shù)已經(jīng)成為近幾年國內(nèi)外的研究熱點(diǎn)。 對(duì)0．13μm MOSFET噪聲建模和參數(shù)提取技術(shù)進(jìn)行了研究，首先，使用

2、開路短路法剝離掉焊盤和外圍連接導(dǎo)線的影響從而得到本征器件的散射參數(shù)。然后通過半優(yōu)化法得到模型的小信號(hào)參數(shù)并驗(yàn)證。在精確地提取了小信號(hào)模型參數(shù)之后，利用噪聲相關(guān)矩陣技術(shù)從測量的散射參數(shù)和射頻噪聲參數(shù)直接提取了柵極感應(yīng)噪聲電流i2g，溝道噪聲電流i2d和它們的相關(guān)系數(shù)，并用PRC模型中的參數(shù)來表示。將參數(shù)提取結(jié)果帶入ADS中進(jìn)行仿真，在2～8 GHz頻段上仿真結(jié)果與測量數(shù)據(jù)吻合良好。 利用TSMC0．18μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn)了5．