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1、該文便對(duì)這種形狀記憶合金薄膜驅(qū)動(dòng)的復(fù)合膜微驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了理論研究和有限元仿真分析,對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)研究.結(jié)構(gòu)幾何參數(shù)在設(shè)計(jì)中是一個(gè)影響器件性能的非常重要的因素,該文應(yīng)用薄板大撓度理論對(duì)驅(qū)動(dòng)膜進(jìn)行了初步的理論研究.把復(fù)合膜的邊緣部分和中心雙膜區(qū)域的結(jié)合面作為連續(xù)邊界條件處理,分別獨(dú)立研究,建立了不等寬度的復(fù)合膜的理論模型.應(yīng)用此理論方程可以對(duì)復(fù)合膜的厚度及其寬度等結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)于復(fù)合膜的撓度的影響進(jìn)行分析.該文最后制備了電阻條圖案經(jīng)過(guò)優(yōu)
2、化了的復(fù)合膜微驅(qū)動(dòng)器,并應(yīng)用激光干涉的方法對(duì)其動(dòng)態(tài)的驅(qū)動(dòng)性能進(jìn)行了多種工況下的對(duì)比測(cè)試,實(shí)驗(yàn)測(cè)得的規(guī)律可以用仿真的結(jié)果加以解釋.與驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化前的性能測(cè)試數(shù)據(jù)相比,通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),驅(qū)動(dòng)器的性能得到了顯著的提高.從該文的工作還可以看出,在MEMS器件的開發(fā)中,從概念設(shè)計(jì)的提出到仿真研究的確認(rèn),以及進(jìn)一步的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化在整個(gè)器件開發(fā)過(guò)程中扮演著非常重要的角色,重視有限元仿真研究在器件開發(fā)過(guò)程中的作用,對(duì)于我們節(jié)省研制費(fèi)用、加快器件的開發(fā)進(jìn)度,提
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