四種光學(xué)鍍膜材料的輻照著色效應(yīng)研究.pdf

1、本文利用帶電粒子輻照設(shè)備，對MgF2、ZrO2、Al2O3和SiO2四種粉末狀光學(xué)鍍膜材料進(jìn)行了電子和質(zhì)子輻照著色研究。用XRD法分析了輻照前后材料晶體結(jié)構(gòu)的變化，用吸收光譜、熒光光譜和EPR法研究了輻照后每種材料內(nèi)部形成的吸收帶及其對應(yīng)的色心種類，以及色心隨輻照注量的演化過程。
　　電子和質(zhì)子輻照不影響材料的晶體結(jié)構(gòu)，但對材料具有著色效應(yīng)，從而改變其光譜性能。
　　電子輻照在MgF2中形成260nm、320nm、370nm

2、、400nm和470nm五個(gè)吸收帶，分別對應(yīng)于 F心、三種類型的 F2心和 HD心。低能電子在 ZrO2中形成260nm、300nm、360nm和480nm四個(gè)吸收帶，分別對應(yīng)于 H2心、與本征吸收有關(guān)的缺陷、F心和F+心；1MeV高能電子在ZrO2中只形成260nm、300nm和480nm吸收帶。低能電子在Al2O3晶體中形成205nm、230nm、300nm和410nm四個(gè)吸收帶，分別對應(yīng)于F心、F+心、F2心和空穴心；1MeV高能

3、電子在Al2O3主要形成300nm和410nm吸收帶。低能電子輻照后SiO2粉末中形成了203nm、225nm、290nm和550nm吸收帶，分別對應(yīng)于E′心、POR以及與雜質(zhì)Ge和雜質(zhì)Al有關(guān)的缺陷；1MeV高能電子輻照在SiO2中形成203nm和550nm兩個(gè)主要吸收帶。
　　質(zhì)子輻照在MgF2中形成260nm、320nm、370nm和400nm四個(gè)吸收帶，分別對應(yīng)于F心和三種類型的F2心；在ZrO2晶體粉末中形成260nm、

4、300nm、360nm、480nm、610nm和1150nm六個(gè)吸收帶，其中260nm、290nm、360nm和480nm分別對應(yīng)H2心、與本征吸收有關(guān)色心、F心和F+心；在Al2O3晶體粉末中形成205nm、230nm、260nm、300nm、360nm和450nm六個(gè)吸收帶，分別對應(yīng)于F心、兩種F+心、F2心、F3+心和F22+心；在SiO2中形成203nm、230nm、270nm、320nm和410nm五個(gè)吸收帶，分別對應(yīng)于E′心