SOI基CMOS RCE光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)與特性研究.pdf

1、近年來(lái)，光互連技術(shù)以高速、高帶寬、低串?dāng)_和低功耗等優(yōu)勢(shì)備受關(guān)注，尤其是在甚短距離光傳輸領(lǐng)域中。CMOS集成電路及工藝平臺(tái)推動(dòng)了硅基光電探測(cè)器、CMOS光接收電路乃至集成光系統(tǒng)的發(fā)展，高速高靈敏度的850nm光波長(zhǎng) CMOS光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)及模型成為實(shí)施甚短距離光互連的關(guān)鍵之一。因此，研究SOI CMOS兼容的高性能的光電探測(cè)器，及其相關(guān)工藝、制造，具有非常重要的現(xiàn)實(shí)意義。
　　本文以 SOI CMOS工藝為載體，提出可用于850nm

2、波長(zhǎng)光電集成電路（OEIC）的高速高靈敏度低成本的SOI基諧振腔增強(qiáng)型（Resonant Cavity Enhanced Photodetector：RCE）光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)，對(duì)光電探測(cè)器的工藝實(shí)現(xiàn)、器件結(jié)構(gòu)、軟件仿真及版圖設(shè)計(jì)等方面展開研究工作。主要的研究工作及創(chuàng)新點(diǎn)如下：
　　1、提出了一種新的SOI基CMOS諧振腔增強(qiáng)型光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)，以0.5μmCMOS工藝為工藝流程載體，給出優(yōu)化的 SOI基光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)參數(shù)，力求解決硅基

3、光電探測(cè)器量子效率低和工作帶寬窄的問(wèn)題；
　　2、研究SOI基光電探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換機(jī)理及載流子特性，建立精確的諧振腔增強(qiáng)型光電探測(cè)器模型，對(duì)器件所用到的Si片材料、諧振腔的DBR反射鏡以及整體結(jié)構(gòu)等作了研究和分析，實(shí)現(xiàn)模型與物理結(jié)構(gòu)尺寸之間的可縮放性映射。并基于MATLAB與TCAD軟件進(jìn)行數(shù)值模型仿真與工藝仿真的結(jié)果進(jìn)行對(duì)比；
　　3、考察SOI基諧振腔增強(qiáng)型光電探測(cè)器物理尺寸多維變化對(duì)其性能的影響，將頂部有“網(wǎng)格狀有源區(qū)

4、”結(jié)構(gòu)、“條柵狀有源區(qū)”結(jié)構(gòu)加入 DBR反射鏡的分析和設(shè)計(jì)中，通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)出光纖通信用SOI基CMOS RCE光電探測(cè)器；
　　4、設(shè)計(jì)了多種 SOI基 CMOS RCE光電探測(cè)器的版圖設(shè)計(jì)，包括三種面積尺寸30μm*30μm、40μm*40μm、50μm*50μm結(jié)構(gòu)，兩種有源區(qū)結(jié)構(gòu)：條柵型的P+結(jié)構(gòu)、網(wǎng)格型的N+結(jié)構(gòu)，以及4種有源區(qū)間距0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm結(jié)構(gòu)，因此共有24個(gè)不同光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)。