LDMOS的電學特性分析與建模.pdf

1、橫向高壓功率器件LDMOS有耐高壓、增益大、動態(tài)范圍寬、失真低和易于和低壓電路工藝兼容等特點.隨著半導體工藝技術(shù)的不斷成熟,LDMOS越來越廣泛地應用于功率集成電路及智能功率集成電路中.因此,對LDMOS器件的電學特性研究與建模有著重要實際意義.該文討論的LDMOS結(jié)構(gòu)是PDP選址驅(qū)動芯片設計的一個關(guān)鍵問題,該結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了與低壓電路工藝的兼容,并滿足耐壓高、電流大的實際需要.該文通過對LDMOS閾值電壓、導通電阻、電流特性的深入探討,建立

2、了這些電學參數(shù)的精確解析模型.其中,閾值電壓模型解決了溝道非均勻摻雜、短溝道效應,調(diào)閾值注入,柵邊緣電容等問題.該模型不僅適用于LDMOS,也可以很好地描述所有的MOS器件閾值電壓的短溝道效應,嚴格證明了短溝道效應會引起閾值電壓的減小.導通電阻模型考慮了LDMOS的溝道橫向雜質(zhì)分布和漂移區(qū)雜質(zhì)縱向分布的結(jié)構(gòu)特點,給出了導通電阻與雜質(zhì)分布參數(shù)的明確函數(shù)關(guān)系.LDMOS電流特性的研究涉及了器件電流線性區(qū)、夾斷飽和區(qū)和準飽和區(qū),并給出了簡化的