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文檔簡介
1、ZnO作為一種重要的直接帶隙寬禁帶半導體材料,室溫下禁帶寬度為3.37eV,具有大的激子束縛能(60meV),高的機電耦合系數(shù),以及惡劣條件下的高穩(wěn)定性。不摻雜的ZnO從本質上來說是N型的半導體,可是通過摻雜獲得P型的ZnO納米結構是非常困難的。本論文針對P型ZnO納米材料的研究熱點和難點,利用簡單的化學氣相沉積方法制備出了高質量的磷摻雜一維ZnO納米材料,并研究其生長機理和光致發(fā)光等特性。取得的主要結果如下:
(1)采用
2、化學氣相沉積方法,在未使用任何催化劑的條件下,在硅(111)襯底上制備出了高質量的磷摻雜ZnO納米梳。通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察到磷摻雜ZnO納米梳的長度和直徑分別是8μm和70nm。此外,在能量色散譜(EDS)中還觀測到了磷元素的存在,在低溫(11K)的光致發(fā)光譜中還觀測到了與磷摻雜相關的A0X、FA和DAP,因此證實磷元素作為受主摻雜進入ZnO晶格,此外經過計算得到磷在ZnO中的電離能約為127meV。
(2)采
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