2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁
已閱讀1頁，還剩55頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、ZnO作為一種重要的直接帶隙寬禁帶半導體材料,室溫下禁帶寬度為3.37eV,具有大的激子束縛能(60meV),高的機電耦合系數(shù),以及惡劣條件下的高穩(wěn)定性。不摻雜的ZnO從本質上來說是N型的半導體,可是通過摻雜獲得P型的ZnO納米結構是非常困難的。本論文針對P型ZnO納米材料的研究熱點和難點,利用簡單的化學氣相沉積方法制備出了高質量的磷摻雜一維ZnO納米材料,并研究其生長機理和光致發(fā)光等特性。取得的主要結果如下:
　　 (1)采用

2、化學氣相沉積方法,在未使用任何催化劑的條件下,在硅(111)襯底上制備出了高質量的磷摻雜ZnO納米梳。通過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察到磷摻雜ZnO納米梳的長度和直徑分別是8μm和70nm。此外,在能量色散譜(EDS)中還觀測到了磷元素的存在,在低溫(11K)的光致發(fā)光譜中還觀測到了與磷摻雜相關的A0X、FA和DAP,因此證實磷元素作為受主摻雜進入ZnO晶格,此外經過計算得到磷在ZnO中的電離能約為127meV。
　　 (2)采

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論