關(guān)于65nm數(shù)字集成電路后端設(shè)計(jì)中串?dāng)_避免及修復(fù)方式的研究及比較.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、集成電路一直在迅猛發(fā)展。制造工藝由超深亞微米(VDSM)進(jìn)入到納米(nanometer)階段;設(shè)計(jì)規(guī)模由超大規(guī)模(VLSI)、甚大規(guī)模(ULSI)向G規(guī)模集成(GSI)發(fā)展;越來越多的功能、甚至是一個(gè)系統(tǒng)都被集成到單個(gè)芯片之中,出現(xiàn)了系統(tǒng)級芯片(SOC)的設(shè)計(jì)概念。于是,物理設(shè)計(jì)(physicaldesign)研究與工具設(shè)計(jì)面臨巨大挑戰(zhàn)。其中之一是:隨著集成度更高,芯片上模塊和互連線的排列更加緊密,互連線的間距進(jìn)一步減小;元件數(shù)目的增加

2、和線寬的縮小使互連線的相對長度大大增加;電路工作頻率更高。這都使得集成電路中的耦合效應(yīng)明顯,串?dāng)_(crosstalk)成為一個(gè)突出的問題。因此,如何恰當(dāng)有效地避免并消除串?dāng)_,是目前亟待解決的理論與技術(shù)熱點(diǎn)問題。
　　 本文首先闡述了串?dāng)_研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)問題,如模型建立、估算技術(shù)、避免與修復(fù)方法等,然后基于Synopsys的后端設(shè)計(jì)工具ICCornplier,針對十幾個(gè)國際知名公司65nm設(shè)計(jì)的串?dāng)_問題解決方式,效果進(jìn)行了深入的比較

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