PLD法制備環(huán)形器用微米級(jí)YIG薄膜.pdf

1、環(huán)形器是一種在軍事和民用領(lǐng)域都被廣泛應(yīng)用的微波器件。傳統(tǒng)的環(huán)形器都是在塊狀鐵氧體材料上制備的,導(dǎo)致其具有體積大、質(zhì)量重等缺點(diǎn)。隨著現(xiàn)代化設(shè)備對(duì)器件的體積、質(zhì)量等因素越來(lái)越敏感,發(fā)展出體積小、質(zhì)量輕的環(huán)形器已經(jīng)刻不容緩。薄膜環(huán)形器就是在這種背景下應(yīng)運(yùn)而生的。雖然已經(jīng)有很多研究人員對(duì)薄膜環(huán)形器做了大量的研究,但是當(dāng)前的薄膜環(huán)形器制備技術(shù)仍然很不成熟,其中一個(gè)制約其發(fā)展的因素就是難以制備出高質(zhì)量的鐵氧體厚膜的。
　　本研究致力于用脈沖激

2、光沉積技術(shù)(PLD)制備出高質(zhì)量的釔鐵石榴石(YIG)薄膜。首先,深入研究了沉積溫度、氧氣壓強(qiáng)等薄膜制備參數(shù)對(duì)用PLD法在Si(100)和GGG(111)基片上制備出的 YIG薄膜的微觀結(jié)構(gòu)、磁性、共振線寬等性能的影響,得到了在Si基片和GGG基片上制備YIG薄膜的最佳條件。接著,根據(jù)研究在Si基片和GGG基片沉積YIG薄膜得到的最優(yōu)條件在MgO基片和藍(lán)寶石制備出了微米級(jí)的YIG薄膜,證明這兩種基片也可以用來(lái)沉積YIG薄膜。最后,在Si